用于新型相变存储器的锗锑碲薄膜的结构和电学性质
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·相变材料概述 | 第9-11页 |
| ·光学存储器 | 第11-12页 |
| ·电学存储器 | 第12-16页 |
| ·PCRAM的发展状况 | 第13-14页 |
| ·PCRAM的存储原理及特点 | 第14-16页 |
| ·相变存储器的关键材料 | 第16-18页 |
| ·研究概况 | 第16-17页 |
| ·研究内容和方向 | 第17-18页 |
| ·本文的结构和内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 GeSbTe的制备和结构性质 | 第23-36页 |
| ·引言 | 第23-25页 |
| ·GeSbTe薄膜的制备及成分分析 | 第25-28页 |
| ·GeSbTe薄膜的制备 | 第25-26页 |
| ·GeSbTe的XPS分析 | 第26-28页 |
| ·GeSbTe的结构性质 | 第28-30页 |
| ·GeSbTe的光学带隙 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 GST的形貌表征与研究 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验过程 | 第37页 |
| ·Ge_1Sb_2Te_4的AFM表征与分析 | 第37-41页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5的AFM表征与分析 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 GeSbTe的电学性质研究 | 第48-63页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·GeSbTe的热致相变过程 | 第49-56页 |
| ·GeSbTe电阻率随温度的变化 | 第49-50页 |
| ·GeSbTe的非晶激活能 | 第50-51页 |
| ·GeSbTe的相变激活能 | 第51-55页 |
| ·GeSbTe的结晶孕育时间 | 第55-56页 |
| ·GeSbTe/n-Si异质结的电流电压特性 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 总结与展望 | 第63-65页 |
| 硕士阶段发表的工作 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
