| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·太阳能电池 | 第10-13页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第13-15页 |
| ·薄膜太阳能电池窗口材料的选择 | 第15-16页 |
| ·本课题研究背景及主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)实验平台设计 | 第18-24页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·常用薄膜沉积方法 | 第18-21页 |
| ·PECVD实验平台的设计 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 PECVD 法制备Sn0_2 薄膜实验及机理分析 | 第24-29页 |
| ·PECVD法制备SnO_2 薄膜实验原料的选择 | 第24页 |
| ·衬底的选择与预处理 | 第24-25页 |
| ·PECVD法制备Sn0_2 薄膜实验 | 第25-28页 |
| ·PECVD法制备Sn0_2 薄膜机理分析 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 Sn0_2 薄膜性能表征与分析 | 第29-35页 |
| ·Sn0_2 薄膜晶体结构测试 | 第29-30页 |
| ·Sn0_2 薄膜表面形貌测试 | 第30-32页 |
| ·Sn0_2 薄膜成分分析 | 第32-33页 |
| ·Sn0_2 薄膜光透射率测试 | 第33-34页 |
| ·Sn0_2 薄膜电学性能测试 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 5 PECVD 工艺参数对Sn0_2 薄膜性能的影响 | 第35-53页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·衬底温度对Sn0_2 薄膜的影响 | 第35-41页 |
| ·沉积时间对Sn0_2 薄膜的影响 | 第41-44页 |
| ·退火处理对Sn0_2 薄膜的影响 | 第44-47页 |
| ·其他工艺参数对51102 薄膜的影响 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 6 结论与展望 | 第53-56页 |
| ·本论文的主要结论 | 第53-54页 |
| ·存在的问题和下一步工作设想 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
