| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·CeO_2简介 | 第12-13页 |
| ·二氧化铈薄膜的应用 | 第13-15页 |
| ·半导体功能薄膜材料 | 第13-14页 |
| ·超导薄膜缓冲层材料 | 第14-15页 |
| ·光学薄膜材料 | 第15页 |
| ·硅衬底制备氧化铈薄膜的研究现状 | 第15-19页 |
| ·选题意义、依据与研究内容 | 第19-21页 |
| ·选题意义与依据 | 第19-20页 |
| ·课题目标与内容 | 第20-21页 |
| 2 薄膜的制备方法与表征技术 | 第21-31页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第21-24页 |
| ·化学气相沉积 | 第21-22页 |
| ·电子束蒸发法 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射法 | 第23页 |
| ·分子束外延法 | 第23-24页 |
| ·原子层沉积 | 第24页 |
| ·本文使用的制备方法 | 第24-27页 |
| ·高真空脉冲激光沉积法 | 第24-26页 |
| ·快速热处理技术 | 第26-27页 |
| ·二氧化铈薄膜的表征 | 第27-31页 |
| ·薄膜的结构、形貌特征表征 | 第27-30页 |
| ·薄膜电性能测试 | 第30页 |
| ·薄膜光学性能测试 | 第30-31页 |
| 3 Si(100)衬底沉积CeO_2薄膜及表征 | 第31-43页 |
| ·实验方法 | 第31-33页 |
| ·靶材烧结 | 第31-32页 |
| ·基片的清洗 | 第32页 |
| ·CeO_2薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·Si(100)衬底上沉积的CeO_2薄膜的结构分析 | 第33-37页 |
| ·RHEED原位监测与表征 | 第33-34页 |
| ·XRD表征薄膜晶体结构 | 第34-37页 |
| ·CeO_2薄膜样品的断面HRTEM表征 | 第37-38页 |
| ·CeO_2薄膜样品的C-V/I-V表征 | 第38-42页 |
| ·不同衬底温度制备的薄膜的电学性能 | 第39-40页 |
| ·不同沉积能量制备的薄膜的电学性能 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 4 退火对Si(100)衬底沉积CeO_2薄膜结构性能影响 | 第43-52页 |
| ·实验设备及方案 | 第43-44页 |
| ·退火对不同制备条件的样品结构取向影响 | 第44-46页 |
| ·不同退火温度对高温高能量样品结构性能影响 | 第46-51页 |
| ·不同退火温度对样品结构影响 | 第46-47页 |
| ·不同退火温度对样品表面形貌影响 | 第47-48页 |
| ·不同退火温度对样品电学性能影响 | 第48-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 5 Si(111)衬底沉积CeO_2薄膜及表征 | 第52-59页 |
| ·实验方法 | 第52-53页 |
| ·靶材烧结 | 第52页 |
| ·薄膜制备 | 第52-53页 |
| ·Si(111)衬底上沉积的CeO_2薄膜的结构分析 | 第53-58页 |
| ·薄膜晶体结构的RHEED原位检测 | 第53页 |
| ·薄膜晶体结构XRD分析 | 第53-55页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第55-57页 |
| ·样品横断面HRTEM表征 | 第57-58页 |
| ·薄膜折射率测试 | 第58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
