| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-29页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·金属氢化物储氢的研究现状 | 第12-19页 |
| ·金属氢化物储氢的基本原理 | 第12-15页 |
| ·储氢的基本原理 | 第12-13页 |
| ·储氢体系的热力学性能 | 第13-14页 |
| ·储氢体系的动力学性能 | 第14-15页 |
| ·国内外在Sc的储氢行为方面的研究进展 | 第15-19页 |
| ·钪及其氢化物 | 第15-16页 |
| ·钪氢化物的物相结构 | 第16-17页 |
| ·H(D)在Sc中的占位情况研究 | 第17页 |
| ·钪氢化物的热力学参数研究 | 第17-18页 |
| ·钪氢化物的吸氢动力学研究 | 第18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| ·薄膜材料成膜特性的研究现状 | 第19-27页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第19页 |
| ·薄膜材料的基本形成过程 | 第19-20页 |
| ·薄膜生长过程中典型的结构区域模型(SZMs) | 第20-21页 |
| ·薄膜的生长模式及其相互间的转化 | 第21-23页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第21-22页 |
| ·各模式之间的相互转化 | 第22-23页 |
| ·薄膜材料的国内外研究现状 | 第23-26页 |
| ·理论模拟 | 第23-24页 |
| ·实验研究 | 第24页 |
| ·国内外关于薄膜成膜特性的理论模拟与实验研究进展 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| ·本论文的选题依据及主要研究内容 | 第27-29页 |
| ·选题依据 | 第27-28页 |
| ·主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 块材钪的吸氘性能研究 | 第29-41页 |
| ·前言 | 第29页 |
| ·实验设备及实验原料 | 第29-30页 |
| ·吸氘前后钪的物相结构变化 | 第30-31页 |
| ·真空除气和活化过程 | 第31-32页 |
| ·真空除气 | 第31页 |
| ·活化过程 | 第31-32页 |
| ·块材钪吸氘的热力学性能研究 | 第32-36页 |
| ·实验方法 | 第32页 |
| ·P-C-T曲线 | 第32-34页 |
| ·热力学参数 | 第34-36页 |
| ·块材钪吸氘的动力学性能研究 | 第36-40页 |
| ·实验方法及研究内容 | 第36-37页 |
| ·钪吸氘的P-t曲线 | 第37-38页 |
| ·吸氘反应速率常数 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 MONTE CARLO方法初步探索SC膜的生长特性 | 第41-56页 |
| ·模型描述 | 第41-45页 |
| ·粒子源模型 | 第41-42页 |
| ·气相输运模型 | 第42-43页 |
| ·吸附-扩散-再蒸发模型 | 第43-45页 |
| ·原子间的相互作用 | 第45-47页 |
| ·模拟条件 | 第47页 |
| ·模拟结果 | 第47-55页 |
| ·原子入射能量分布及脱附率随温度、扩散截至步长的变化关系 | 第47-48页 |
| ·Mo基Sc膜演化过程及生长模式的研究 | 第48-49页 |
| ·初期岛尺寸的比较 | 第49-51页 |
| ·致密度和粗糙度的比较 | 第51-53页 |
| ·Sc薄膜的相对密度和表面粗糙度的定量计算 | 第53-54页 |
| ·生长模式-初期岛尺寸-致密度和粗糙度的关系 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第4章 真空蒸镀法制备的SC膜的物相、结构及成膜特性研究 | 第56-94页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验设备和方法 | 第56-58页 |
| ·薄膜制备设备 | 第56-57页 |
| ·检测设备 | 第57页 |
| ·薄膜样品的准备 | 第57-58页 |
| ·膜材料的选取 | 第57页 |
| ·衬底材料的选取与清洗 | 第57-58页 |
| ·镀膜工艺的设计 | 第58页 |
| ·衬底材料对Sc膜物相、结构的影响 | 第58-63页 |
| ·Mo衬底 | 第63-81页 |
| ·衬底温度 | 第63-73页 |
| ·Mo基Sc膜的物相结构、形貌 | 第63-71页 |
| ·Sc膜的氧化行为研究 | 第71-72页 |
| ·与经典的结构区域模型的对比 | 第72-73页 |
| ·沉积速率 | 第73-76页 |
| ·镀膜时间 | 第76-80页 |
| ·热处理 | 第80-81页 |
| ·SI衬底 | 第81-88页 |
| ·衬底温度 | 第81-84页 |
| ·沉积速率 | 第84-87页 |
| ·硅化物的形成机制 | 第87-88页 |
| ·SC膜生长机制的探讨 | 第88-92页 |
| ·Sc膜的成核机制及其织构 | 第89-90页 |
| ·Sc膜的柱状生长机制 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第5章 MO基SC膜的微观结构与吸氘性能、力学性能之间的关系 | 第94-114页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·实验设备和分析手段 | 第95页 |
| ·氘化反应对SC膜形貌、结构的影响 | 第95-111页 |
| ·吸氘前除气真空度的影响 | 第95-98页 |
| ·吸氘方式 | 第98-101页 |
| ·镀膜条件对Mo基Sc膜吸氘性能的影响 | 第101-110页 |
| ·镀膜条件对氘化后Sc膜微观形貌和物相结构的影响 | 第101-109页 |
| ·Sc膜吸氘过程分析 | 第109-110页 |
| ·吸氘对力学性能的影响 | 第110-111页 |
| ·衬底温度对Mo基Sc膜硬度和弹性模量的影响 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 第6章 全文结论及后续研究建议 | 第114-117页 |
| ·全文结论 | 第114-116页 |
| ·主要创新点 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-129页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间公开发表的科学论文 | 第129-130页 |
| 附录Ⅱ 攻读博士学位期间参加的学术交流 | 第130页 |
