| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| ·研究目的和意义 | 第11-12页 |
| ·碳化硅材料的结构及基本性质 | 第12-14页 |
| ·碳化硅薄膜掺杂的研究进展及理论依据 | 第14-16页 |
| ·本论文研究意义及所做工作 | 第16-18页 |
| 第2章 实验原理及技术 | 第18-26页 |
| ·实验技术 | 第18-19页 |
| ·螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)实验装置 | 第18页 |
| ·衬底处理 | 第18-19页 |
| ·薄膜形貌和结构分析技术 | 第19-21页 |
| ·傅立叶变换红外吸收谱 | 第19页 |
| ·X射线衍射 | 第19-20页 |
| ·原子力显微镜 | 第20页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
| ·样品成份的X射线能谱分析 | 第21页 |
| ·薄膜的光学特性表征技术 | 第21-26页 |
| ·紫外-可见透射反射谱 | 第21-23页 |
| ·光致发光谱 | 第23-24页 |
| ·光致发光激发光谱 | 第24-26页 |
| 第3章 N掺杂纳米3C-SiC薄膜的微结构及发光特 | 第26-45页 |
| ·纳米碳化硅薄膜制备及结构表征 | 第26-28页 |
| ·N掺杂纳米3C-SiC薄膜的微结构表征 | 第28-33页 |
| ·N掺杂对薄膜沉积速率的影响 | 第28-29页 |
| ·N掺杂对薄膜表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| ·N掺杂薄膜元素组分及键合结构 | 第31-33页 |
| ·N掺杂对纳米碳化硅薄膜光吸收特性的影响 | 第33-35页 |
| ·N掺杂对纳米碳化硅薄膜发光特性的影响 | 第35-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 N掺杂纳米6H-SiC薄膜的微结构及光学特性 | 第45-55页 |
| ·纳米6H-SiC薄膜制备及结构表征 | 第45-47页 |
| ·N掺杂纳米6H-SiC薄膜的微结构特征 | 第47-51页 |
| ·N掺杂样品红外特征 | 第47-48页 |
| ·N掺杂样品元素组分 | 第48-49页 |
| ·N掺杂样品沉积速率 | 第49页 |
| ·N掺杂对薄膜表面形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·N掺杂比例对纳米6H-SiC薄膜的光学特性的影响 | 第51-53页 |
| ·N掺杂对薄膜光学带隙的影响 | 第51-53页 |
| ·N掺杂对薄膜发光特性的影响 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 氢流量对N掺杂纳米6H-SiC薄膜微结构和光学特性的影响 | 第55-63页 |
| ·不同氢气流量掺杂样品的微结构表征 | 第55-61页 |
| ·氢流量对薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| ·不同氢流量掺杂纳米SiC薄膜的红外特征 | 第56-57页 |
| ·不同氢流量掺杂纳米SiC薄膜的元素含量 | 第57-58页 |
| ·不同氢流量掺杂纳米SiC薄膜的SEM | 第58-59页 |
| ·不同氢流量掺杂纳米SiC薄膜的AFM | 第59-60页 |
| ·不同氢流量掺杂纳米SiC薄膜的XRD | 第60-61页 |
| ·不同氢流量掺杂纳米SiC薄膜的光学特性 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结束语 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
