| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-14页 |
| ·压控振荡器研究背景 | 第11-12页 |
| ·压控振荡器设计的发展状况 | 第12页 |
| ·本文的主要内容以及结构安排 | 第12-14页 |
| 2 集成电路设计原理与模型分析 | 第14-28页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·MOSFET工作特性分析 | 第14-18页 |
| ·MOSFET大信号特性分析 | 第15-16页 |
| ·MOSFET动态特性分析 | 第16-18页 |
| ·平面螺旋电感分类与模型分析 | 第18-28页 |
| ·平面螺旋电感模型分析 | 第19-22页 |
| ·直角电感寄生效应与仿真 | 第22-23页 |
| ·片上集成螺旋电感设计和优化的一般准则 | 第23-24页 |
| ·设计中使用的片上螺旋电感 | 第24-28页 |
| 3 变电容特性分析 | 第28-36页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·标准CMOS工艺下可变电容的实现形式 | 第28页 |
| ·PN结可变电容 | 第28-31页 |
| ·MOS管可变电容 | 第29-31页 |
| ·可变电容的大信号分析 | 第31-33页 |
| ·设计中使用的MOS管可变电容 | 第33-34页 |
| ·利用cadence对可变电容特性的仿真 | 第34-36页 |
| 4 压控振荡器的性能分析 | 第36-45页 |
| ·LC振荡器的基本工作原理 | 第36-41页 |
| ·LC电路的基本特性 | 第36-38页 |
| ·负阻抗振荡器 | 第38-39页 |
| ·交叉耦合电感电容振荡器 | 第39-41页 |
| ·压控振荡器的数学模型 | 第41-43页 |
| ·压控振荡器的重要性能参数 | 第43-45页 |
| 5 低相位噪声设计 | 第45-57页 |
| ·相位噪声的概念 | 第45-46页 |
| ·谐振腔的Q值 | 第46-47页 |
| ·相位噪声的理论模型 | 第47-52页 |
| ·非时变模型 | 第47-48页 |
| ·时变模型 | 第48-52页 |
| ·降低相位噪声应采用的措施 | 第52-54页 |
| ·相位噪声降低技术 | 第54-57页 |
| ·大电容滤波 | 第54-55页 |
| ·二次谐波谐振滤波 | 第55页 |
| ·相位噪声降低技术仿真结果 | 第55-57页 |
| 6 压控振荡器电路实现 | 第57-62页 |
| ·压控振荡器电路结构分析及设计结果 | 第57-58页 |
| ·控振荡器电路仿真结果 | 第58-61页 |
| ·瞬态分析 | 第59页 |
| ·相位噪声分析 | 第59-60页 |
| ·调节范围 | 第60-61页 |
| ·主要性能参数总结 | 第61-62页 |
| 7 压控振荡器版图设计 | 第62-66页 |
| ·压控振荡器版图设计 | 第62-63页 |
| ·设计规则检查(DRC)和版图与电路图对比(LVS) | 第63-64页 |
| ·VCO版图参数提取以及后仿真 | 第64-66页 |
| 8 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 作者简历 | 第69-71页 |
| 学位论文数据集 | 第71页 |