| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·电致变色器件的结构与材料 | 第10-14页 |
| ·电致变色器件的结构 | 第10页 |
| ·电致变色器件的材料 | 第10-14页 |
| ·电致变色器件的工作原理 | 第14-15页 |
| ·快离子导体 | 第15-20页 |
| ·快离子导体的物理模型 | 第16-17页 |
| ·快离子导体的离子电导率 | 第17页 |
| ·快离子导体的研究现状 | 第17-19页 |
| ·电致变色器件中的快离子导体 | 第19-20页 |
| ·氮化锆（ZrN_x）薄膜 | 第20-22页 |
| ·氮化锆（ZrN_x）薄膜的结构 | 第20页 |
| ·氮化锆（ZrN_x）薄膜的应用 | 第20-21页 |
| ·氮化锆（ZrN_x）薄膜的掺杂 | 第21-22页 |
| ·本课题研究目的及意义 | 第22-24页 |
| 2 薄膜制备工艺 | 第24-31页 |
| ·常见的薄膜制备工艺 | 第24-26页 |
| ·物理气相沉积法 | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积法 | 第25页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第25页 |
| ·其它制备方法 | 第25-26页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第26-30页 |
| ·溅射机理与特点 | 第26-27页 |
| ·溅射类型 | 第27-29页 |
| ·射频反应磁控溅射原理 | 第29-30页 |
| ·薄膜生长方式 | 第30-31页 |
| 3 实验方法与测试手段 | 第31-39页 |
| ·实验设备及材料 | 第31页 |
| ·薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·薄膜的正交实验设计 | 第32-35页 |
| ·正交设计概述 | 第32-33页 |
| ·正交设计法和极差分析法基本原理 | 第33-34页 |
| ·正交实验的设计步骤 | 第34页 |
| ·薄膜的正交实验设计 | 第34-35页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第35-39页 |
| ·Arnoldussen 方法 | 第35-36页 |
| ·定性判断试样性能 | 第36页 |
| ·电化学性能分析 | 第36-37页 |
| ·薄膜光学性能测试 | 第37页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第37页 |
| ·薄膜结构、表面形貌分析 | 第37页 |
| ·薄膜组成成分分析 | 第37-39页 |
| 4 ZrN_x 快离子导体薄膜性能与结构研究 | 第39-51页 |
| ·工艺参数对ZrN_x薄膜离子导电性能的影响 | 第40-43页 |
| ·氮分量对ZrN_x 薄膜离子导电性能的影响 | 第41-42页 |
| ·溅射功率对ZrN_x 薄膜离子导电性能的影响 | 第42-43页 |
| ·溅射时间对ZrN_x 薄膜离子导电性能的影响 | 第43页 |
| ·ZrN_x薄膜厚度分析 | 第43-45页 |
| ·ZrN_x薄膜电化学性能分析 | 第45-46页 |
| ·循环伏安曲线分析 | 第45页 |
| ·交流阻抗分析 | 第45-46页 |
| ·ZrN_x薄膜结构与组成分析 | 第46-49页 |
| ·ZrN_x 薄膜的结构分析 | 第46-47页 |
| ·ZrN_x 薄膜的成分分析 | 第47-48页 |
| ·ZrN_x 薄膜的表面形貌 | 第48-49页 |
| ·ZrN_x薄膜离子导电机理分析 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 ZrN_x:CR 薄膜的制备工艺及离子导电性能研究 | 第51-58页 |
| ·掺杂工艺参数对ZrN_x:CR 薄膜离子导电性能的影响 | 第52-53页 |
| ·ZrN_x:CR 薄膜电化学性能分析 | 第53-55页 |
| ·循环伏安曲线分析 | 第53-55页 |
| ·交流阻抗分析 | 第55页 |
| ·ZrN_x:CR 薄膜的X 射线衍射分析 | 第55-56页 |
| ·ZrN_x:CR 薄膜的表面形貌 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 6 结论与展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录 | 第63-65页 |