| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| ·研究的背景和意义 | 第13-17页 |
| ·论文的结构安排 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 键合技术综述 | 第20-39页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·晶片键合技术的基本原理与工艺过程 | 第21-27页 |
| ·晶片的表面处理 | 第21-26页 |
| ·晶片预键合 | 第26页 |
| ·晶片对热处理 | 第26-27页 |
| ·晶片键合技术的主要实现方法 | 第27-31页 |
| ·晶片键合技术的主要应用 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 第三章 晶片键合技术的理论研究 | 第39-81页 |
| ·晶片表面几何特性对键合的影响 | 第39-47页 |
| ·理论模型 | 第39-43页 |
| ·晶片弯曲度对键合的影响 | 第43-45页 |
| ·晶片表面微起伏对键合的影响 | 第45-47页 |
| ·晶片键合的热应力研究 | 第47-59页 |
| ·键合应力模型及剪切应力 | 第49-52页 |
| ·键合晶片的正应力 | 第52-53页 |
| ·键合晶片的剥离应力 | 第53-55页 |
| ·解决途径 | 第55-59页 |
| ·n-GaAs/n-InP、n-Si/n-InP键合晶片的电特性的理论分析 | 第59-77页 |
| ·金属半导体接触的伏安特性 | 第60-63页 |
| ·突变同型异质结的电流输运机构 | 第63-74页 |
| ·低表面能级密度下的突变同型异质结的电流输运机构 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第四章 低温晶片键合技术的实验研究 | 第81-100页 |
| ·实验步骤 | 第81-83页 |
| ·GaAs/InP基材料晶片键合 | 第81-82页 |
| ·Si/InP基材料晶片键合 | 第82-83页 |
| ·Si/Si晶片键合 | 第83页 |
| ·键合晶片性能测试 | 第83-97页 |
| ·界面形貌 | 第83-86页 |
| ·I-V特性测试 | 第86-90页 |
| ·X射线衍射(XRD)谱测试 | 第90-91页 |
| ·光致发光(PL)谱测试 | 第91-92页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第92-93页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第93-96页 |
| ·拉曼光谱(Raman spectroscopy) | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 第五章 高速、窄线宽、可调谐长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器的研究 | 第100-136页 |
| ·“一镜斜置三镜腔”光探测器的理论分析 | 第100-106页 |
| ·长波长“一镜斜置三镜腔光探测器”的设计 | 第106-118页 |
| ·基于GaAs基滤波腔的InP基长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器 | 第107-112页 |
| ·基于InP/空气隙DBR结构的InP基微机械可调谐“一镜斜置三镜腔”型探测器 | 第112-117页 |
| ·基于InGaNAs/GaAs多量子阱结构的GaAs基“一镜斜置三镜腔”光探测器 | 第117-118页 |
| ·长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器的制备及测试 | 第118-132页 |
| ·基于GaAs基滤波腔的InP基长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器的制备与测试 | 第121-129页 |
| ·基于InGaNAs/GaAs多量子阱结构的GaAs基“一镜斜置三镜腔”光探测器的制备与测试 | 第129-132页 |
| ·“一镜斜置三镜腔”光探测器在系统中的应用 | 第132页 |
| ·本章小结 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利 | 第138-139页 |
