| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·论文研究目的和内容 | 第8-9页 |
| 第二章 半导体激光器物理基础与基本结构 | 第9-32页 |
| ·光波模、光子态和光子简并度 | 第9-11页 |
| ·光的自发辐射、受激辐射和受激吸收 | 第11-14页 |
| ·原子集居数反转分布和光放大 | 第14页 |
| ·激光的特性 | 第14-15页 |
| ·半导体激光器 | 第15-32页 |
| 第三章 薄膜技术 | 第32-42页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第32-38页 |
| ·增透膜 | 第38-42页 |
| 第四章 膜系设计 | 第42-51页 |
| ·膜料的选取 | 第42-46页 |
| ·增透膜的设计 | 第46-51页 |
| 第五章 工艺制备 | 第51-61页 |
| ·设备介绍 | 第51-55页 |
| ·电子束离子辅助制备工艺 | 第55-59页 |
| ·HfO_2的化学制备方法 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |