| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·ZAlSi12Cu2Mg1 合金的性能 | 第8页 |
| ·铝及其合金传统的表面处理 | 第8-12页 |
| ·微弧氧化技术 | 第12-19页 |
| ·等离子体的概念及氧等离子体 | 第12页 |
| ·微弧氧化技术特点 | 第12-14页 |
| ·发展历史 | 第14-16页 |
| ·研究现状 | 第16页 |
| ·电击穿理论发展 | 第16-17页 |
| ·微弧氧化技术的基本原理 | 第17-18页 |
| ·微弧氧化技术优缺点 | 第18页 |
| ·微弧氧化技术的应用领域及前景 | 第18-19页 |
| ·选题目的及意义 | 第19-21页 |
| ·选题目的 | 第19-21页 |
| ·选题意义 | 第21页 |
| ·课题研究内容及技术路线 | 第21-24页 |
| ·课题研究内容 | 第21-22页 |
| ·预期达到目标 | 第22页 |
| ·技术路线 | 第22-24页 |
| 第二章 试验方法及过程 | 第24-34页 |
| ·试验设备 | 第24-26页 |
| ·电源模式介绍 | 第24页 |
| ·试验电源装置 | 第24-26页 |
| ·试验方法 | 第26-32页 |
| ·影响微弧氧化陶瓷膜制备的因素及其确定 | 第26-29页 |
| ·试验方案 | 第29-32页 |
| ·微弧氧化陶瓷层分析测试 | 第32-34页 |
| ·膜层厚度检测 | 第32页 |
| ·硬度检测 | 第32页 |
| ·相分析 | 第32-33页 |
| ·膜层生长方向观察 | 第33页 |
| ·试样表面及横截面形貌观察 | 第33页 |
| ·试样结构分析 | 第33-34页 |
| 第三章 试验结果及分析 | 第34-60页 |
| ·电参数对 ZAlSi12Cu2Mg1 合金微弧氧化陶瓷膜层形成的影响 | 第34-47页 |
| ·负向电压对膜层形成的影响 | 第34-39页 |
| ·ZAlSi12Cu2Mg1 合金微弧氧化过程中频率对膜层形成的影响 | 第39-45页 |
| ·初始氧化时间对微弧氧化膜层形成的影响 | 第45-47页 |
| ·ZAlSi12Cu2Mg1 微弧氧化过程中陶瓷膜层的形成和生长 | 第47-55页 |
| ·试验现象描述 | 第47页 |
| ·膜层横截面形貌 | 第47-48页 |
| ·膜层表面形貌 | 第48-49页 |
| ·膜层厚度的变化 | 第49-50页 |
| ·微弧氧化熄弧时正/负向电流密度的变化 | 第50-51页 |
| ·微弧氧化膜的生长过程分析 | 第51-52页 |
| ·微弧氧化陶瓷层烧结理论 | 第52-53页 |
| ·膜层横截面显微形貌观察和能谱分析 | 第53-55页 |
| ·电解液中加入添加剂 A 改善 ZAlSi12Cu2Mg1 微弧氧化过程 | 第55-60页 |
| ·试验中特殊现象 | 第55页 |
| ·氧化时间和电流变化 | 第55-56页 |
| ·膜层厚度变化 | 第56-57页 |
| ·显微硬度变化 | 第57页 |
| ·表面形貌分析 | 第57-58页 |
| ·X 衍射分析 | 第58-60页 |
| 第四章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
