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离子源辅助磁控溅射沉积SiO_x阻隔薄膜的研究

摘要第1-3页
ABSTRACT第3-5页
第一章 绪论第5-14页
   ·高阻隔薄膜的发展趋势第5-8页
   ·氧化硅薄膜的性能第8-9页
   ·等离子体技术与分类第9-11页
   ·SiO_2 阻隔薄膜的制备方法第11-13页
   ·本课题研究的内容第13-14页
第二章 薄膜生长及制备原理第14-30页
   ·基材的选择第14-16页
   ·薄膜生长机理第16-19页
   ·电子束蒸镀原理第19页
   ·磁控溅射基本原理第19-23页
   ·离子源辅助第23-30页
第三章 实验与检测第30-39页
   ·电子束蒸镀SiO_x薄膜第30-31页
   ·磁控溅射沉积SiO_x薄膜第31-34页
   ·薄膜厚度的检测及均匀性的评价第34-35页
   ·薄膜结构的分析第35-36页
   ·SiO_x薄膜表面分析第36页
   ·SiO_x薄膜的成份分析第36-37页
   ·薄膜生长形态分析(XRD 分析)第37-38页
   ·透湿性测试原理第38-39页
第四章 结果与讨论第39-64页
   ·薄膜均匀性测试第39-44页
   ·薄膜的FTIR 结构分析第44-45页
   ·X 射线衍射第45-46页
   ·沉积膜阻隔性第46-52页
   ·SEM 表面形貌分析第52-57页
   ·离子源对镀膜的影响第57-62页
   ·结论及展望第62-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-69页
攻读硕士期间所发表的论文第69-70页
独创性声明第70页
学位论文版权使用授权书第70页

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