| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| ·问题的提出及研究意义 | 第11-13页 |
| ·ZnO 薄膜概述 | 第13-20页 |
| ·ZnO 薄膜研究历史的简要回顾 | 第13页 |
| ·ZnO 和AZO 的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜材料特性 | 第14-16页 |
| ·ZnO 薄膜制备 | 第16-18页 |
| ·ZnO 薄膜的n 型和p 型掺杂 | 第18页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第18-20页 |
| ·ZnO 薄膜的研究热点 | 第20-21页 |
| ·本文的研究内容及创新点 | 第21-23页 |
| 2 AZO 薄膜的制备以及测试方法 | 第23-31页 |
| ·直流反应磁控溅射方法 | 第23-24页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·直流反应磁控溅射基本原理 | 第23-24页 |
| ·实验仪器以及实验流程 | 第24-25页 |
| ·实验仪器 | 第24页 |
| ·实验流程 | 第24-25页 |
| ·AZO 薄膜的实验条件 | 第25页 |
| ·AZO 薄膜的退火处理 | 第25-26页 |
| ·AZO 薄膜的性能测试 | 第26-31页 |
| ·晶体结构的表征方法 | 第26-28页 |
| ·表面形貌的测试方法 | 第28页 |
| ·薄膜的成分及各元素化学态的测试 | 第28-29页 |
| ·AZO 薄膜光谱测试 | 第29页 |
| ·薄膜厚度以及Hall 效应的测量 | 第29-30页 |
| ·温差电动势的测量 | 第30-31页 |
| 3 AZO 薄膜的组织结构 | 第31-45页 |
| ·AZO 薄膜的结构特性 | 第31-35页 |
| ·XRD 分析 | 第31页 |
| ·退火处理对薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| ·氧氩比对薄膜结构的影响 | 第33-35页 |
| ·AZO 薄膜的应力分析 | 第35-38页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·AZO 薄膜内应力 | 第37页 |
| ·实验结果 | 第37-38页 |
| ·退火处理和氧氩比对薄膜应力的影响 | 第38页 |
| ·AZO 薄膜的表面形貌 | 第38-39页 |
| ·AFM 分析 | 第38页 |
| ·SEM 分析 | 第38-39页 |
| ·AZO 薄膜的成分及化学态 | 第39-44页 |
| ·未刻蚀前的XPS 分析 | 第39-41页 |
| ·Ar+刻蚀后的XPS 分析 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 AZO 薄膜的光学性质 | 第45-53页 |
| ·AZO 薄膜的紫外可见透射光谱 | 第45-50页 |
| ·退火处理对透射光谱的影响 | 第45-49页 |
| ·氧氩比对透射光谱的影响 | 第49-50页 |
| ·红外反射光谱 | 第50-51页 |
| ·薄膜折射率和厚度的理论计算 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 AZO 薄膜的电学性质 | 第53-66页 |
| ·AZO 薄膜导电机制 | 第53页 |
| ·AZO 薄膜的Hall 效应 | 第53-56页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·退火处理对电学性质的影响 | 第54-55页 |
| ·氧氩比对电学性质的影响 | 第55-56页 |
| ·AZO 薄膜的塞贝克效应 | 第56-61页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·塞贝克效应 | 第57-61页 |
| ·AZO 薄膜的磁阻效应 | 第61-64页 |
| ·引言 | 第61-63页 |
| ·实验 | 第63页 |
| ·结果分析与讨论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 6 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·后续工作的展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 | 第75-77页 |
| 附录A 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第75-76页 |
| 附录B 作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目及得奖情况 | 第76-77页 |
| 独创性声明 | 第77页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第77页 |