| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-25页 |
| ·ZnO 薄膜的基本性质 | 第9-12页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·ZnO 薄膜的本征点缺陷 | 第10-11页 |
| ·ZnO 薄膜的光学性质 | 第11页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光谱 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第12-15页 |
| ·蒸发 | 第13页 |
| ·溅射和反应溅射 | 第13页 |
| ·化学气相沉积 | 第13-14页 |
| ·激光脉冲沉积 | 第14-15页 |
| ·溶胶-凝胶 | 第15页 |
| ·ZnO 薄膜的掺杂 | 第15-21页 |
| ·本征ZnO 为n 型电导的作用机理 | 第15-16页 |
| ·ZnO 薄膜的n 型掺杂 | 第16页 |
| ·ZnO 薄膜的p 型掺杂 | 第16-21页 |
| ·ZnO 的应用 | 第21-23页 |
| ·压电器件 | 第21页 |
| ·发光器件 | 第21-22页 |
| ·透明导电材料 | 第22页 |
| ·紫外探测器 | 第22页 |
| ·气敏元件 | 第22-23页 |
| ·与GaN 互作缓冲层 | 第23页 |
| ·光电器件的单片集成 | 第23页 |
| ·本文研究的目的和研究内容 | 第23-25页 |
| ·本文研究的目的 | 第23-24页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第24-25页 |
| 2 溅射镀膜 | 第25-37页 |
| ·磁控溅射原理 | 第25-29页 |
| ·直流辉光放电 | 第25-27页 |
| ·射频辉光放电 | 第27-28页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第28页 |
| ·溅射机理 | 第28页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第28-29页 |
| ·溅射特性 | 第29-32页 |
| ·溅射阈值 | 第29页 |
| ·溅射率 | 第29-31页 |
| ·溅射粒子的能量和速度 | 第31页 |
| ·优先溅射 | 第31-32页 |
| ·射频溅射 | 第32页 |
| ·反应溅射 | 第32-33页 |
| ·射频磁控溅射镀膜 | 第33-34页 |
| ·溅射镀膜的厚度均匀性 | 第34-37页 |
| 3 离子注入与退火 | 第37-45页 |
| ·离子注入技术 | 第37-38页 |
| ·视线型的离子注入技术 | 第37页 |
| ·等离子体源离子注入 | 第37-38页 |
| ·射程分布 | 第38-40页 |
| ·射程、投影射程及标准偏差 | 第38页 |
| ·入射离子在固体中的减速过程 | 第38-39页 |
| ·非晶靶的射程分布 | 第39页 |
| ·单晶靶的射程分布 | 第39-40页 |
| ·离子注入的辐射损伤 | 第40-41页 |
| ·ZnO 薄膜的N 离子注入 | 第41-42页 |
| ·样品切割 | 第42页 |
| ·退火 | 第42-43页 |
| ·热退火 | 第43页 |
| ·激光退火 | 第43页 |
| ·N 注入ZnO 薄膜的热退火 | 第43-45页 |
| 4 ZnO 薄膜的光学性质 | 第45-50页 |
| ·半导体的光学常数 | 第45-46页 |
| ·ZnO 薄膜厚度对透射谱的影响 | 第46-48页 |
| ·ZnO 薄膜的光学带隙 | 第48-50页 |
| 5 N掺杂ZnO 薄膜特性研究 | 第50-61页 |
| ·薄膜结构特性 | 第50-54页 |
| ·X 射线衍射基础 | 第50页 |
| ·结构分析 | 第50-52页 |
| ·不同退火温度对结构的影响 | 第52-53页 |
| ·不同退火时间对结构的影响 | 第53-54页 |
| ·退火对薄膜表面形貌影响 | 第54-56页 |
| ·退火对薄膜电学性能影响 | 第56-59页 |
| ·霍尔测试基础 | 第56-57页 |
| ·薄膜电学性能分析 | 第57-58页 |
| ·不同退火温度对电学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·不同退火时间对电学性能的影响 | 第59页 |
| ·ZnO 薄膜p 型转变的机理探讨 | 第59-61页 |
| 6 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 附:1.作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录、科研情况 | 第64-65页 |
| 致 谢 | 第65-66页 |
| 独创性声明 | 第66页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第66页 |