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ZL300C型硅快恢复模块的研发

摘要第1-18页
ABSTRACT第18-19页
目录第19-21页
第一章 选题的背景及意义第21-27页
   ·高压功率半导体器件简介第21-22页
   ·功率快恢复P-i-N二极管研究意义及发展现状第22-24页
   ·本文研究的内容及研究意义第24-27页
第二章 设计方案第27-29页
   ·设计考虑第27页
   ·外部结构设计考虑第27页
   ·内部结构设计考虑第27页
   ·封装设计考虑第27-28页
   ·需要解决的难题第28-29页
第三章 功率 P-i-N二极管特性及参数简介第29-53页
   ·P-i-N二极管的结构及其工作原理第29-37页
     ·P-i-N二极管的结构第29-30页
     ·P-i-N二极管的正反向稳态特性第30-33页
       ·正向稳态特性第30-31页
       ·反向稳态特性第31-33页
     ·P-i-N二极管的正反向瞬态特性第33-37页
       ·正向瞬态特性第33-35页
       ·反向瞬态特性第35-37页
   ·决定P-i-N二极管性能的主要参数第37-44页
     ·正向压降第38-39页
     ·反向漏电流第39-41页
     ·反向恢复时间及反向恢复电荷第41-43页
     ·软度因子第43-44页
   ·欧姆接触第44-46页
   ·二极管的热特性和使用寿命估计第46-53页
     ·P-I-N二极管的I区热容量和热阻第46-47页
     ·最小热时间常数和最大温升第47-51页
     ·PIN二极管最大温升和使用寿命的设计过程第51-53页
第四章 实施方案优化第53-60页
   ·外形结构优化第53-54页
   ·内部结构优化第54-56页
     ·均流措施第55页
     ·消除应力第55-56页
   ·热设计考虑第56-57页
     ·热匹配第56页
     ·器件的散热第56-57页
     ·管芯温度的均匀性第57页
   ·电参数优化设计第57-58页
   ·工艺流程第58-60页
第五章 研制情况第60-64页
   ·解决的关键技术问题第60页
   ·模块参数水平第60-62页
   ·可靠性鉴定情况第62-63页
   ·社会经济效益及发展前景第63-64页
第六章 结束语第64-65页
参考文献第65-67页
致谢第67-68页
附1第68-69页
附2第69页

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