| 第一章 绪论 | 第1-34页 |
| ·硼碳氮材料的研究起源 | 第9-11页 |
| ·石墨与六角氮化硼 | 第9-10页 |
| ·金刚石与立方氮化硼 | 第10-11页 |
| ·硼碳氮薄膜的研究进展 | 第11-26页 |
| ·硼碳氮薄膜的理论研究 | 第11-14页 |
| ·硼碳氮薄膜的实验研究 | 第14-26页 |
| ·硼碳氮薄膜的性质及潜在的应用前景 | 第26-27页 |
| ·硼碳氮薄膜的表征 | 第27-32页 |
| ·硼碳氮薄膜的 X-射线光电子能谱(XPS) | 第27-29页 |
| ·硼碳氮薄膜的傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第29-30页 |
| ·硼碳氮薄膜的 X-射线衍射分析(XRD) | 第30页 |
| ·硼碳氮薄膜的原子力显微镜测试(AFM) | 第30-31页 |
| ·硼碳氮薄膜的拉曼光谱 | 第31-32页 |
| ·本论文的选题和主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 溅射沉积系统、薄膜制备的基本程序及其表征 | 第34-52页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理及实验装置 | 第34-37页 |
| ·溅射 | 第34-35页 |
| ·射频磁控溅射 | 第35-36页 |
| ·实验装置 | 第36-37页 |
| ·射频磁控溅射方法制备硼碳氮薄膜的基本程序 | 第37-40页 |
| ·基底表面处理 | 第37-38页 |
| ·镀膜用靶的制作 | 第38-39页 |
| ·薄膜制备的基本程序 | 第39-40页 |
| ·射频反应性磁控溅射方法制备硼碳氮薄膜的基本程序 | 第40-41页 |
| ·基底表面处理 | 第40页 |
| ·镀膜用靶的制作 | 第40页 |
| ·薄膜制备的基本程序 | 第40-41页 |
| ·在合适的实验条件下沉积的硼碳氮薄膜 | 第41-50页 |
| ·硼碳氮薄膜的 X-射线光电子能谱(XPS) | 第42-45页 |
| ·硼碳氮薄膜的傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第45-46页 |
| ·硼碳氮薄膜的 X-射线衍射分析(XRD) | 第46-47页 |
| ·硼碳氮薄膜的原子力显微镜测试(AFM) | 第47页 |
| ·硼碳氮薄膜的拉曼光谱 | 第47-48页 |
| ·硼碳氮薄膜厚度的测量 | 第48-49页 |
| ·硼碳氮薄膜的紫外-可见光谱 | 第49-50页 |
| ·硼碳氮薄膜的硬度测试 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 射频磁控溅射方法制备硼碳氮薄膜 | 第52-84页 |
| ·氮气分压比对硼碳氮薄膜的影响 | 第52-58页 |
| ·实验 | 第52-54页 |
| ·氮气分压比对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第54-55页 |
| ·氮气分压比对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第55-58页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·工作气压对硼碳氮薄膜的影响 | 第58-65页 |
| ·实验 | 第59-60页 |
| ·工作气压对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第60-61页 |
| ·工作气压对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第61-64页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| ·基底温度对硼碳氮薄膜的影响 | 第65-71页 |
| ·实验 | 第65-66页 |
| ·基底温度对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第66-67页 |
| ·基底温度对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第67-70页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| ·基底偏压对硼碳氮薄膜的影响 | 第71-77页 |
| ·实验 | 第71-72页 |
| ·基底偏压对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第72-73页 |
| ·基底偏压对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第73-76页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜的影响 | 第77-82页 |
| ·实验 | 第77-78页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第78-79页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第79-82页 |
| ·结论 | 第82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第四章 射频反应性磁控溅射方法制备硼碳氮薄膜 | 第84-103页 |
| ·甲烷分压比对硼碳氮薄膜的影响 | 第84-90页 |
| ·实验 | 第84-85页 |
| ·甲烷分压比对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第85-86页 |
| ·甲烷分压比对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第86-89页 |
| ·结论 | 第89-90页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜的影响 | 第90-96页 |
| ·实验 | 第90-91页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第91-92页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第92-95页 |
| ·结论 | 第95-96页 |
| ·工作气压对硼碳氮薄膜的影响 | 第96-102页 |
| ·实验 | 第96-98页 |
| ·工作气压对硼碳氮薄膜厚度的影响 | 第98页 |
| ·工作气压对硼碳氮薄膜组分的影响 | 第98-101页 |
| ·结论 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第五章 硼碳氮薄膜的电学性质研究 | 第103-122页 |
| ·硼碳氮薄膜的电阻率研究 | 第103-111页 |
| ·电阻率的测量方法 | 第103-104页 |
| ·电阻率的测量装置 | 第104页 |
| ·氮气分压比对硼碳氮薄膜电阻率的影响 | 第104-107页 |
| ·基底偏压对硼碳氮薄膜电阻率的影响 | 第107-108页 |
| ·射频功率对硼碳氮薄膜电阻率的影响 | 第108-110页 |
| ·沉积时间对硼碳氮薄膜电阻率的影响 | 第110-111页 |
| ·硼碳氮薄膜的场发射特性研究 | 第111-120页 |
| ·场发射理论与研究进展 | 第111-113页 |
| ·场发射测试系统 | 第113-114页 |
| ·场发射结果与讨论 | 第114-117页 |
| ·硼碳氮薄膜的场发射机理 | 第117-120页 |
| ·结论 | 第120页 |
| ·本章小结 | 第120-122页 |
| 第六章 硼碳氮薄膜的光学性质研究 | 第122-130页 |
| ·引言 | 第122页 |
| ·射频磁控溅射方法制备的硼碳氮薄膜的光学性质 | 第122-123页 |
| ·实验结果与讨论 | 第122-123页 |
| ·结论 | 第123页 |
| ·射频反应性磁控溅射方法制备的硼碳氮薄膜的光学性质 | 第123-124页 |
| ·实验结果与讨论 | 第123-124页 |
| ·结论 | 第124页 |
| ·两种方法制备的硼碳氮薄膜光学性质的比较 | 第124-126页 |
| ·实验结果与讨论 | 第124-125页 |
| ·结论 | 第125-126页 |
| ·影响硼碳氮薄膜光学性质的因素 | 第126-128页 |
| ·硼碳氮薄膜厚度对透射率的影响 | 第126-127页 |
| ·沉积过程中反应气体对透射率的影响 | 第127页 |
| ·热处理对硼碳氮薄膜透射率的影响 | 第127-128页 |
| ·结论 | 第128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第七章 硼碳氮薄膜的力学性质研究 | 第130-139页 |
| ·硼碳氮薄膜的硬度 | 第130-133页 |
| ·硬度的测试方法 | 第130-131页 |
| ·结果分析与讨论 | 第131-132页 |
| ·结论 | 第132-133页 |
| ·硼碳氮薄膜的内应力研究 | 第133-138页 |
| ·内应力 | 第133-134页 |
| ·内应力对硼碳氮薄膜红外光谱的影响 | 第134-136页 |
| ·减小硼碳氮薄膜内应力的方法 | 第136-137页 |
| ·结论 | 第137-138页 |
| ·本章小结 | 第138-139页 |
| 第八章 结论与展望 | 第139-144页 |
| ·结论 | 第139-142页 |
| ·展望 | 第142-144页 |
| 参考文献 | 第144-161页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第161-163页 |
| 致谢 | 第163-164页 |
| 附:中英文摘要 | 第164-174页 |