第1章 绪论 | 第1-25页 |
1.1 纳米材料 | 第9-13页 |
1.1.1 纳米材料和纳米技术介绍 | 第9-10页 |
1.1.2 纳米效应 | 第10-12页 |
1.1.3 纳米半导体的光电特性 | 第12-13页 |
1.2 纳米TiO_2简介 | 第13-20页 |
1.2.1 TiO_2的基本性质 | 第13-15页 |
1.2.2 纳米TiO_2粉木的制备 | 第15-18页 |
1.2.3 纳米TiO_2薄膜的制备 | 第18-19页 |
1.2.4 TiO_2粉体和膜材料的掺杂与改性 | 第19-20页 |
1.3 纳米TiO_2光电转换原理 | 第20-21页 |
1.4 纳米TiO_2的研究发展动念 | 第21-23页 |
1.5 选题意义和目的 | 第23-24页 |
1.6 本论文研究的内容 | 第24-25页 |
第2章 TiO_2纳米晶的制备及表征 | 第25-38页 |
2.1 试验部分 | 第25-27页 |
2.1.1 试剂和仪器 | 第25-26页 |
2.1.2 试验过程 | 第26-27页 |
2.2 表征仪器及方法 | 第27-28页 |
2.3 结果与讨论 | 第28-37页 |
2.3.1 X-射线衍射分析 | 第28-33页 |
2.3.2 差热-热重分析 | 第33-34页 |
2.3.3 红外光谱分析 | 第34-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第3章 纳米TiO_2薄膜的制备 | 第38-46页 |
3.1 试验部分 | 第39-42页 |
3.1.1 试剂和仪器 | 第39-40页 |
3.1.2 试验过程 | 第40-42页 |
3.2 表征仪器及方法 | 第42页 |
3.3 结果与讨论 | 第42-45页 |
3.3.1 X-射线衍射分析 | 第42-43页 |
3.3.2 AFM形貌分析 | 第43-44页 |
3.3.3 UN-Vis吸收光谱分析 | 第44-45页 |
3.3.4 薄膜与基片粘附性测试 | 第45页 |
3.4 本章小节 | 第45-46页 |
第4章 纳米TiO_2薄膜光电性质研究 | 第46-59页 |
4.1 光电型紫外光探测器简介 | 第46-48页 |
4.1.1 光电型紫外光探测器的结构和基本类型 | 第46页 |
4.1.2 探测器的工作原理和主要参数 | 第46-48页 |
4.2 表征仪器及方法 | 第48-49页 |
4.3 结果与讨论 | 第49-57页 |
4.3.1 纳米TiO_2薄膜电极灵敏度测试 | 第49-50页 |
4.3.2 焙烧温度对纳米TiO_2薄膜的光电流的影响 | 第50-51页 |
4.3.3 薄膜厚度对纳米Ti0_2电极光电流的影响 | 第51-52页 |
4.3.4 纳米TiO_2薄膜电极对不同波长光的响应 | 第52-53页 |
4.3.5 偏置电压对纳米TiO_2薄膜的光电流的影响 | 第53-55页 |
4.3.6 电解液对纳米TiO_2薄膜电极的光电流的影响 | 第55-57页 |
4.3.7 香豆素染料对纳米TiO_2薄膜电极的光电流的影响 | 第57页 |
4.4 本章小结 | 第57-59页 |
结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
研究生履历 | 第65页 |