| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·温差电器件概述 | 第11-19页 |
| ·温差电器件及微型温差电器件的发展 | 第11-14页 |
| ·微型温差发电器件的结构及制备工艺 | 第14-16页 |
| ·微温差电器件的研究现状 | 第16-19页 |
| ·温差电材料的研究现状 | 第19-26页 |
| ·温差电材料的热电性能的表征 | 第19页 |
| ·温差电材料概述 | 第19-24页 |
| ·温差电材料分类 | 第19-22页 |
| ·低维温差电材料的研究 | 第22-24页 |
| ·零维温差电材料的研究 | 第24页 |
| ·块状温差电材料的制备 | 第24页 |
| ·熔体生长法 | 第24页 |
| ·粉末冶金法 | 第24页 |
| ·薄膜温差电材料的研究制备 | 第24-26页 |
| ·化学气相生长法 | 第25页 |
| ·物理气相沉积法 | 第25页 |
| ·电沉积法 | 第25-26页 |
| ·微区薄膜温差电材料的制备 | 第26页 |
| ·论文的主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-35页 |
| ·实验仪器设备及材料 | 第27-28页 |
| ·实验仪器及设备 | 第27页 |
| ·主要实验药品 | 第27-28页 |
| ·试样的制作 | 第28-30页 |
| ·试样的准备 | 第28页 |
| ·金片的前处理 | 第28-29页 |
| ·光致抗蚀干膜的微区制作 | 第29页 |
| ·SU-8 胶的微区制作 | 第29-30页 |
| ·电沉积体系及工艺 | 第30-31页 |
| ·实验装置 | 第30页 |
| ·电沉积试片的前处理流程 | 第30页 |
| ·镀液成分及沉积方式 | 第30-31页 |
| ·电化学测试 | 第31-32页 |
| ·电化学测试装置 | 第31页 |
| ·电化学测试镀液成分 | 第31-32页 |
| ·阴极极化曲线的测试 | 第32页 |
| ·循环伏安曲线的测试 | 第32页 |
| ·交流阻抗的测试 | 第32页 |
| ·镀层形貌、组成及结构分析 | 第32-33页 |
| ·扫描电镜（SEM）分析 | 第32-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第33页 |
| ·温差电材料热电性能分析 | 第33页 |
| ·镀液表面张力测试 | 第33-35页 |
| 第三章 微区制作工艺研究 | 第35-40页 |
| ·光致抗蚀干膜微区的制备工艺研究 | 第35-37页 |
| ·贴膜工艺研究 | 第35页 |
| ·曝光工艺研究 | 第35-36页 |
| ·显影工艺研究 | 第36-37页 |
| ·SU－8 胶微区的制备工艺研究 | 第37-38页 |
| ·真空退火装置及操作工艺研究 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 薄膜及微区薄膜Bi_(2-x)Te_(3+x)材料的电沉积研究 | 第40-53页 |
| ·基体对电沉积Bi_2Te_3 薄膜的影响 | 第40-41页 |
| ·温度对薄膜Bi_2Te_3 电沉积的影响 | 第41-42页 |
| ·不同沉积方式对薄膜Bi_2Te_3 电沉积的影响 | 第42-44页 |
| ·恒电位及恒电流沉积时对应的i-t 及E-t 曲线 | 第43页 |
| ·沉积方式对电沉积温差电材料组成的影响 | 第43-44页 |
| ·沉积方式对温差电材料形貌的影响 | 第44页 |
| ·沉积电位对电沉积Bi_2Te_3 薄膜的影响 | 第44-48页 |
| ·沉积电位对电沉积温差电材料组成的影响 | 第44-45页 |
| ·沉积电位对电沉积温差电材料性能的影响 | 第45-46页 |
| ·沉积电位对电沉积温差电材料结构的影响 | 第46-47页 |
| ·沉积电位对温差电材料形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·微区尺寸对电沉积Bi_2Te_3 微区薄膜材料的影响 | 第48-52页 |
| ·不同微区尺寸的阴极极化曲线 | 第48-49页 |
| ·微区尺寸对电沉积Bi_2Te_3 微区薄膜材料组成的影响 | 第49-50页 |
| ·微区尺寸对电沉积Bi_2Te_3 微区薄膜材料结构的影响 | 第50-51页 |
| ·微区尺寸对电沉积Bi_2Te_3 微区薄膜材料形貌的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 添加剂对电沉积薄膜及微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x材料的影响 | 第53-66页 |
| ·添加剂对电沉积微区薄膜Bi2Te_(3-x)Se_x 材料过程的影响 | 第53-59页 |
| ·阴极极化曲线分析添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料过程的影响 | 第53-55页 |
| ·交流阻抗谱图分析添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料过程的影响 | 第55-56页 |
| ·添加剂A+B 对纯Bi 镀液的影响 | 第56-57页 |
| ·添加剂A+B 对纯Te 镀液的影响 | 第57-58页 |
| ·添加剂A+B 对纯Se 镀液的影响 | 第58-59页 |
| ·添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料性能的影响 | 第59-60页 |
| ·添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料形貌、成分及结构的影响 | 第60-63页 |
| ·添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料形貌的影响 | 第60-61页 |
| ·添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料成分的影响 | 第61-62页 |
| ·添加剂对电沉积微区薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料结构的影响 | 第62-63页 |
| ·添加剂对镀液表面张力影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 退火处理对电沉积薄膜Bi_2Te_(3-x)Se_x 材料的影响 | 第66-68页 |
| 第七章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
