PLD法生长锂掺杂p型ZnO薄膜及其性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-28页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-14页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第13页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第13-14页 |
| ·ZnO的制备 | 第14-16页 |
| ·磁控溅射技术 | 第14页 |
| ·分子束外延 | 第14-15页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第16页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第16-24页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第16-17页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第17-19页 |
| ·ZnO中的施主掺杂 | 第19-20页 |
| ·ZnO中的受主掺杂 | 第20-24页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第24-27页 |
| ·太阳能电池 | 第25页 |
| ·短波光电器件 | 第25-26页 |
| ·集成器件 | 第26页 |
| ·其他 | 第26-27页 |
| ·立题思路及主要研究工作 | 第27-28页 |
| 第三章 实验原理方法及仪器设备 | 第28-40页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)概述 | 第28-29页 |
| ·PLD的基本原理 | 第29-32页 |
| ·PLD薄膜生长实验系统简介 | 第32-35页 |
| ·实验方法 | 第35-38页 |
| ·分析测试设备 | 第38-40页 |
| 第四章 Li掺杂ZnO薄膜的性能测试 | 第40-61页 |
| ·不同Li含量对ZnO薄膜性能的影响 | 第40-43页 |
| ·ZnO薄膜晶体质量 | 第40-42页 |
| ·ZnO薄膜电学性能 | 第42-43页 |
| ·不同衬底温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第43-51页 |
| ·ZnO薄膜电学性能 | 第44-46页 |
| ·ZnO薄膜晶体质量 | 第46-48页 |
| ·ZnO薄膜表面形貌 | 第48页 |
| ·ZnO薄膜光学性能 | 第48-51页 |
| ·不同生长氧压对ZnO薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| ·ZnO薄膜电学性能 | 第51-53页 |
| ·ZnO薄膜晶体质量 | 第53-54页 |
| ·ZnO薄膜表面形貌 | 第54-55页 |
| ·ZnO薄膜光学性能 | 第55页 |
| ·N_2O生长气氛对ZnO薄膜性能的影响 | 第55-61页 |
| ·N_2O气压对薄膜结晶质量的影响 | 第57-58页 |
| ·N_2O气压对薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·N_2O气压对薄膜光学性能的影响 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第69页 |
