| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 导论 | 第14-30页 |
| ·研究太阳能电池陷光材料与陷光结构的必要性 | 第14-20页 |
| ·光在半导体材料中的传播与吸收过程 | 第15-17页 |
| ·直接禁带材料和问接材料光吸收的比较 | 第17-18页 |
| ·光谱响应 | 第18-20页 |
| ·从硅太阳电池发展趋势看陷光结构的作用 | 第20-23页 |
| ·未来十五年内硅太阳电池的优势地位难于被取代 | 第20-21页 |
| ·晶硅太阳电池在实现20％效率商业化生产的同时探索薄层化 | 第21-22页 |
| ·薄膜硅太阳电池对陷光结构的特殊要求 | 第22-23页 |
| ·各种高效硅电池所采用的陷光措施 | 第23-28页 |
| ·高效单晶硅电池 | 第23-26页 |
| ·多晶硅电池 | 第26-27页 |
| ·高效薄膜硅电池的结构 | 第27-28页 |
| ·本文的研究内容 | 第28-30页 |
| 上篇 晶体硅太阳能电池陷光材料与陷光结构的研究 | 第30-93页 |
| 第二章 晶体硅绒面的制作 | 第31-75页 |
| ·单晶硅绒面 | 第31-37页 |
| ·单晶硅表面金字塔绒面的实验原理 | 第31页 |
| ·单晶硅绒面SEM及微结构形成机理 | 第31-35页 |
| ·单晶硅绒面减反效果及与微结构的关系 | 第35-37页 |
| ·多晶硅绒面 | 第37-71页 |
| ·多晶硅绒面的制作过程及实验步骤 | 第40页 |
| ·多晶硅绒面形成的化学原理 | 第40-47页 |
| ·多晶硅绒面微结构形成机理及SEM | 第47-59页 |
| ·表面微结构形成机理模型 | 第59-64页 |
| ·减反效果及陷光模型 | 第64-71页 |
| ·大面积多晶硅绒面制作 | 第71-73页 |
| ·大面积多晶硅绒面的外观图 | 第71页 |
| ·如何控制绒面的均匀性 | 第71-72页 |
| ·如何控制绒面的腐蚀深度 | 第72页 |
| ·大面积绒面反射率的测量 | 第72-73页 |
| ·第二章小结 | 第73-75页 |
| 第三章 多晶硅绒面电池的制作 | 第75-93页 |
| ·多晶硅绒面在太阳电池应用中的一些相关研究 | 第75-87页 |
| ·多孔硅的主要特点 | 第75-82页 |
| ·快速热氧化钝化多孔硅表面 | 第82-83页 |
| ·选择性扩散 | 第83-87页 |
| ·多晶硅绒面太阳电池的制作 | 第87-91页 |
| ·电池制作工艺流程 | 第87-89页 |
| ·需注意的问题 | 第89页 |
| ·结果测量 | 第89-91页 |
| ·第三章小结 | 第91-93页 |
| 下篇 薄膜晶硅电池陷光材料与陷光结构的研究 | 第93-188页 |
| 第四章 ZNO：AL膜的制作 | 第94-107页 |
| ·透明导电薄膜概述 | 第94-97页 |
| ·透明导电薄膜的性能与种类 | 第94-95页 |
| ·透明导电薄膜的制作方法 | 第95-97页 |
| ·直流反应磁控溅射制作ZnO：Al膜 | 第97-106页 |
| ·直流磁控溅射靶材的选取 | 第97-99页 |
| ·直流、中频、射频电源磁控溅射的区别 | 第99-101页 |
| ·仪器构造与制作过程 | 第101-102页 |
| ·成膜反应动力学模式 | 第102-106页 |
| ·第四章小结 | 第106-107页 |
| 第五章 ZNO：AL薄膜组织结构与生长机理 | 第107-128页 |
| ·ZnO：Al薄膜的组织结构与生长机理理论研究 | 第107-111页 |
| ·ZnO薄膜组织结构 | 第107-108页 |
| ·ZnO薄膜中的缺陷 | 第108-109页 |
| ·ZnO：Al薄膜生长机理 | 第109-111页 |
| ·ZnO：Al薄膜的组织结构与生长机理实验研究 | 第111-122页 |
| ·ZnO：Al薄膜不同制备条件下XRD谱研究 | 第111-117页 |
| ·光热处理后ZnO：Al膜的XRD | 第117-120页 |
| ·ZnO：Al薄膜SEM、AFM形貌 | 第120-121页 |
| ·ZnO：Al薄膜FTIR分析表面组成 | 第121-122页 |
| ·直流反应磁控溅射ZnO：Al薄膜沉积速率 | 第122-127页 |
| ·沉积速率与反应条件的关系 | 第122-125页 |
| ·直流磁控溅射反应动学模式 | 第125-126页 |
| ·后处理效果 | 第126-127页 |
| ·第五章小结 | 第127-128页 |
| 第六章 ZNO：AL膜光学性质的研究 | 第128-142页 |
| ·固体基本光学性质的基本原理 | 第128-134页 |
| ·固体的基本光学性质表征 | 第128-131页 |
| ·振幅反射系数的模与相位之间的K-K色散关系 | 第131-133页 |
| ·Tauc's法则 | 第133-134页 |
| ·光学常数(透射率,反射率n和k)的研究 | 第134-138页 |
| ·透射率、反射率的测量与结果分析 | 第134-136页 |
| ·n、k值的计算结果 | 第136-138页 |
| ·光学禁带宽度的计算 | 第138-141页 |
| ·带隙的计算 | 第138-140页 |
| ·带隙的移动的理论解释 | 第140-141页 |
| ·第六章小结 | 第141-142页 |
| 第七章 ZNO：AL膜电学性质 | 第142-154页 |
| ·电学性质理论研究 | 第142-146页 |
| ·微观缺陷电子态 | 第142-144页 |
| ·电阻率影响因素 | 第144-146页 |
| ·电学性质的与实验条件的关系 | 第146-153页 |
| ·制备条件对ZnO：Al薄膜导电能力的影响 | 第146-149页 |
| ·退火处理对薄膜电阻率的影响 | 第149-151页 |
| ·霍尔效应测量结果 | 第151-153页 |
| ·第七章小结 | 第153-154页 |
| 第八章 ZNO：AL膜表面织构及在薄膜太阳电池中的应用 | 第154-188页 |
| ·制作过程及反应机理 | 第155-160页 |
| ·制作过程 | 第156页 |
| ·化学反应机理 | 第156-157页 |
| ·微结构形成与反应条件的关系 | 第157-159页 |
| ·微结构形成机理分析及腐蚀缺陷控制模型的提出 | 第159-160页 |
| ·织构ZnO：Al膜表面陷光效果计算模拟 | 第160-176页 |
| ·绒面结构侧面SEM图 | 第160-163页 |
| ·绒面陷光模型 | 第163-168页 |
| ·模型陷光效果的计算 | 第168-175页 |
| ·整个绒面绒度H_t的表示 | 第175-176页 |
| ·薄膜微晶硅太阳能电池膜系陷光设计 | 第176-184页 |
| ·计算的理论基础 | 第177-179页 |
| ·计算结果 | 第179-183页 |
| ·总结 | 第183-184页 |
| ·ZnO：Al膜在薄膜微晶硅太阳能电池上的应用 | 第184-186页 |
| ·织构前后ZnO：Al膜的性能参数 | 第184-185页 |
| ·glass／textured TCO／pin／Al与glass／TCO／pin／Al结构的比较 | 第185-186页 |
| ·第八章小结 | 第186-188页 |
| 参考文献 | 第188-206页 |
| 在读期间发表的论文 | 第206-209页 |
| 致谢 | 第209页 |
