| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| 1．1 显示器的发展趋势 | 第10-11页 |
| 1．2 场电子发射研究及其应用进展 | 第11-15页 |
| 1．2．1 金属微尖锥型场发射阵列(spind型) | 第12-13页 |
| 1．2．2 硅微尖锥型场发射阵列 | 第13页 |
| 1．2．3 金刚石和非晶碳薄膜型场发射阵列 | 第13-14页 |
| 1．2．4 碳纳米管薄膜场发射 | 第14-15页 |
| 1．3 本工作主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 场致电子发射理论 | 第16-21页 |
| 2．1 场致电子发射方程 | 第17-19页 |
| 2．2 场致发射性能评价指标 | 第19-20页 |
| 2．3 场发射阴极材料的表面形貌和微观结构测试和表征方法 | 第20-21页 |
| 第三章 纳米非晶碳薄膜的制备及其场发射特性 | 第21-31页 |
| 3．1 引言 | 第21页 |
| 3．2 PECVD的工作原理 | 第21-24页 |
| 3．2．1 产生等离子体的方法 | 第22页 |
| 3．2．2 PECVD的特点 | 第22-23页 |
| 3．2．3 微波等离子体沉积系统(MPECVD)结构示意图 | 第23-24页 |
| 3．3 实验 | 第24-25页 |
| 3．3．1 实验设备及工作原理 | 第24-25页 |
| 3．3．2 衬底预处理 | 第25页 |
| 3．3．3 实验步骤 | 第25页 |
| 3．4 实验结果和讨论 | 第25-29页 |
| 3．4．1 拉曼光谱(Raman spectra) | 第26页 |
| 3．4．2 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 3．4．3 扫描电镜(SEM) | 第27页 |
| 3．4．4 X射线电子能谱(XPS) | 第27-28页 |
| 3．4．5 场发射性质测量 | 第28-29页 |
| 3．5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 制备条件的优化 | 第31-42页 |
| 4．1 引言 | 第31-32页 |
| 4．2 过渡层对薄膜场发射性能的影响 | 第32-34页 |
| 4．2．1 实验 | 第32-33页 |
| 4．2．2 结果与讨论 | 第33-34页 |
| 4．3 CH_4气体流量，反应温度、时间对场发射性能的影响 | 第34-40页 |
| 4．3．1 实验方案 | 第35-36页 |
| 4．3．2 实验过程 | 第36-37页 |
| 4．3．3 实验结果与分析 | 第37-40页 |
| 4．4 氢等离子处理对样品的场发射性能影响 | 第40-41页 |
| 4．5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 纳米非晶碳薄膜场发射器件的制备 | 第42-52页 |
| 5．1 引言 | 第42页 |
| 5．2 发射发光管的结构 | 第42-44页 |
| 5．3 发光管的性能参数 | 第44-45页 |
| 5．4 三极管结构器件的封装 | 第45-48页 |
| 5．4．1 三极管结构器件的设计 | 第45-47页 |
| 5．4．2 器件的封装 | 第47-48页 |
| 5．5 器件的性能测试 | 第48-51页 |
| 5．5．1 电流与电压特性 | 第49-50页 |
| 5．5．2 场发射电流密度与稳定性 | 第50页 |
| 5．5．3 亮度 | 第50-51页 |
| 5．5．4 电子透过率 | 第51页 |
| 5．6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 附录一 攻读硕士期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 附录二 致谢 | 第62页 |
