钢基SiC耐磨薄膜制备研究
| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| ·SiC的基本性能和应用 | 第10-11页 |
| ·SiC的物理性能 | 第11页 |
| ·SiC的化学性能 | 第11页 |
| ·SiC的电学性能 | 第11页 |
| ·SiC薄膜的广泛应用 | 第11页 |
| ·SiC薄膜的制备技术 | 第11-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第12页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第12页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第12-15页 |
| ·磁控溅射法制备SiC薄膜的研究现状 | 第15-17页 |
| ·本课题的目的和主要内容 | 第17-19页 |
| ·本课题的目的和意义 | 第17-18页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 实验方法 | 第19-23页 |
| ·实验装置 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射仪 | 第19-20页 |
| ·分析与检测手段 | 第20-23页 |
| ·电子探针显微分析仪 | 第20页 |
| ·X射线衍射仪 | 第20页 |
| ·红外分析仪 | 第20-21页 |
| ·台阶仪 | 第21页 |
| ·划痕试验仪 | 第21-22页 |
| ·摩擦磨损试验仪 | 第22-23页 |
| 第三章 SiC薄膜的制备 | 第23-29页 |
| ·基片的制取 | 第23页 |
| ·中间层的选择 | 第23-24页 |
| ·中间层的制备 | 第24-25页 |
| ·镍磷合金的热处理 | 第25页 |
| ·磁控溅射工艺参数 | 第25-28页 |
| ·磁控溅射后的热处理 | 第28-29页 |
| 第四章 薄膜形貌分析与生长机理 | 第29-39页 |
| ·薄膜的形貌分析 | 第29-31页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第31-32页 |
| ·工艺参数对薄膜厚度的影响 | 第32-39页 |
| ·溅射功率对薄膜厚度的影响 | 第33-34页 |
| ·溅射时间对薄膜厚度的影响 | 第34页 |
| ·工作气压对薄膜厚度的影响 | 第34-35页 |
| ·靶基距离对薄膜厚度的影响 | 第35页 |
| ·影响溅射薄膜结构的因素 | 第35-37页 |
| ·磁控溅射薄膜的生长特性 | 第37-39页 |
| 第五章 SiC薄膜的结合力测试 | 第39-48页 |
| ·划痕试验 | 第39页 |
| ·影响结合力的因素 | 第39-46页 |
| ·溅射方式对结合力的影响 | 第40-42页 |
| ·溅射功率对结合力的影响 | 第42-43页 |
| ·溅射时间对结合力的影响 | 第43-44页 |
| ·基体材料对结合力的影响 | 第44页 |
| ·中间层对结合力的影响 | 第44-46页 |
| ·热处理对结合力的影响 | 第46页 |
| ·薄膜的附着机理 | 第46-48页 |
| 第六章 SiC薄膜的摩擦学性能研究 | 第48-58页 |
| ·摩擦磨损试验 | 第48页 |
| ·影响薄膜摩擦学性能的几个因素 | 第48-55页 |
| ·溅射方式对薄膜摩擦学性能的影响 | 第48-49页 |
| ·工作气压对薄膜摩擦学性能的影响 | 第49-50页 |
| ·不同基体材料对薄膜摩擦学性能的影响 | 第50-51页 |
| ·多层薄膜的摩擦学性能分析 | 第51-55页 |
| ·薄膜的摩擦磨损机理 | 第55-58页 |
| 第七章 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献表 | 第60-63页 |
| 在学期间发表的论文 | 第63页 |
