| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-21页 |
| ·垂直腔面发射激光器的发展概况 | 第9-10页 |
| ·垂直腔面发射半导体激光器的特点 | 第10-17页 |
| ·VCSEL的优点 | 第10-11页 |
| ·VCSEL器件结构 | 第11-12页 |
| ·VCSEL光电限制 | 第12-15页 |
| ·VCSEL新工艺 | 第15-17页 |
| ·垂直腔面发射半导体激光器的研究进展与应用 | 第17-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 GAAS／ALGAAS VCSEL的基本理论、结构设计及外延材料的生长研究 | 第21-34页 |
| ·VCSEL内主要物理过程 | 第21-24页 |
| ·VCSEL材料生长研究 | 第24-29页 |
| ·VCSEL的外延生长 | 第25-27页 |
| ·VCSEL DBR的设计 | 第27-28页 |
| ·VCSEL外延片的生长 | 第28-29页 |
| ·VCSEL外延片的测试 | 第29-34页 |
| 第三章 氧化物限制型垂直腔面发射激光器的工艺研究及其制备 | 第34-52页 |
| ·VCSEL氧化物限制结构的设计 | 第35-37页 |
| ·版图设计 | 第37-40页 |
| ·湿法腐蚀工艺的研究 | 第40-43页 |
| ·GaAs／AlGaAs材料的常规腐蚀工艺 | 第40-42页 |
| ·GaAs／AlGaAs的选择腐蚀工艺研究 | 第42-43页 |
| ·GAAS／ALQAAS的选择氧化工艺研究 | 第43-48页 |
| ·高铝组分Al_xGa_(1-x)As选择性湿氮氧化技术 | 第44-48页 |
| ·欧姆接触层的制备工艺 | 第48-52页 |
| 第四章 垂直腔面发射激光器特性测试分析 | 第52-54页 |
| ·VCSEL的L-I特性测试分析 | 第52页 |
| ·VCSEL的光谱测量 | 第52-53页 |
| ·VCSEL的远场分布测量 | 第53-54页 |
| 第五章 VCSEL器件的发展趋势 | 第54-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
