| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·半导体光催化的作用机理 | 第15-18页 |
| ·半导体 TiO_2光催化降解机理 | 第15-17页 |
| ·金属掺杂改性的光催化降解机理 | 第17-18页 |
| ·影响半导体光催化活性的因素 | 第18-22页 |
| ·晶粒尺寸 | 第18-19页 |
| ·溶液 pH 值 | 第19-20页 |
| ·催化剂浓度 | 第20页 |
| ·反应物类型和起始浓度 | 第20-21页 |
| ·光照强度 | 第21页 |
| ·离子影响 | 第21-22页 |
| ·晶型结构影响 | 第22页 |
| ·半导体光催化剂的改性 | 第22-27页 |
| ·过渡金属掺杂 | 第23-24页 |
| ·贵金属掺杂 | 第24页 |
| ·非金属掺杂 | 第24-25页 |
| ·半导体复合 | 第25-26页 |
| ·稀土金属掺杂 | 第26-27页 |
| ·新型光催化剂的研究进展 | 第27-29页 |
| ·简单结构的窄带光催化剂 | 第27页 |
| ·钙钛矿型光催化剂和尖晶石型光催化剂 | 第27-28页 |
| ·钨锰铁矿光催化剂 | 第28页 |
| ·钒酸盐类光催化剂 | 第28-29页 |
| ·Ag_3VO_4光催化剂的概述 | 第29-30页 |
| ·薄膜研究概况 | 第30-31页 |
| ·本论文课题的提出及研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 Ag_3VO_4负载 Nd 薄膜光催化活性研究 | 第33-45页 |
| ·实验部分 | 第33-37页 |
| ·实验主要设备和试剂 | 第33-34页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Nd 薄膜的制备 | 第34-36页 |
| ·水热法制备 Ag_3VO_4光催化剂 | 第35页 |
| ·制备 Ag_3VO_4负载 Nd 光催化剂 | 第35-36页 |
| ·制备 Ag_3VO_4负载 Nd 薄膜 | 第36页 |
| ·分析与表征 | 第36页 |
| ·光催化实验 | 第36-37页 |
| ·不同水热时间下制备的 Ag_3VO_4的 XRD 分析 | 第37-38页 |
| ·Ag_3VO_4薄膜的粘附性分析 | 第38-40页 |
| ·SEM 分析 | 第38-39页 |
| ·不同制备条件下的薄膜光催化活性 | 第39-40页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Nd 薄膜的 SEM-EDS | 第40-42页 |
| ·不同负载质量的 Ag_3VO_4负载 Nd 薄膜的光催化性能 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜光催化活性研究 | 第45-57页 |
| ·实验部分 | 第45-48页 |
| ·实验主要设备和试剂 | 第45-46页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·水热法制备 Ag_3VO_4光催化剂 | 第46页 |
| ·制备 Ag_3VO_4负载 Ce 光催化剂 | 第46-47页 |
| ·制备 Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜 | 第47页 |
| ·分析与表征 | 第47页 |
| ·光催化性能表征 | 第47-48页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜的表征分析 | 第48-54页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜的 SEM-EDS 分析 | 第48-50页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜的 XPS 分析 | 第50-53页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜的 DRS 分析 | 第53-54页 |
| ·Ag_3VO_4负载 Ce 薄膜的光催化活性 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第65-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |
| 导师简介 | 第66-67页 |
| 附录 | 第67-68页 |
