磁控反应溅射AIN薄膜的制备工艺与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·氮化铝薄膜的制备方法 | 第12页 |
| ·氮化铝薄膜的形核生长 | 第12-15页 |
| ·氮化铝薄膜的成分及结构 | 第15-16页 |
| ·成分 | 第15页 |
| ·结构 | 第15-16页 |
| ·氮化铝薄膜的性能 | 第16-19页 |
| ·折射率 | 第16-17页 |
| ·吸收系数 | 第17页 |
| ·抗氧化性能 | 第17-19页 |
| ·抗沙蚀性能 | 第19页 |
| ·AlN薄膜研究中存在的问题 | 第19页 |
| ·金刚石光学保护涂层的最新发展 | 第19-20页 |
| ·氧化钇(Y_2O_3)涂层 | 第19-20页 |
| ·其它几种涂层技术 | 第20页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 膜系设计与分析 | 第22-35页 |
| ·膜系设计的基本理论 | 第22-27页 |
| ·膜系设计的一般原理 | 第22-24页 |
| ·膜系评价函数 | 第24页 |
| ·最优化方法 | 第24-26页 |
| ·增透保护膜系设计 | 第26-27页 |
| ·AlN膜系设计的实现 | 第27-34页 |
| ·AlN膜系设计的结果 | 第28-31页 |
| ·膜系敏感因子分析 | 第31-33页 |
| ·膜系结构偏差分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 工艺实验方法和内容 | 第35-48页 |
| ·射频磁控反应溅射镀膜的基本原理 | 第35-40页 |
| ·溅射镀膜 | 第35-36页 |
| ·射频溅射 | 第36-37页 |
| ·磁控溅射 | 第37-39页 |
| ·反应溅射 | 第39-40页 |
| ·试验装置 | 第40-41页 |
| ·基本工艺参数的选择 | 第41-43页 |
| ·基本工艺参数 | 第41-42页 |
| ·工艺参数的选择 | 第42-43页 |
| ·工艺流程 | 第43-44页 |
| ·薄膜的分析检测 | 第44-47页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第44-45页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第45-46页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第46-47页 |
| ·薄膜硬度的测量 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 实验结果与分析 | 第48-67页 |
| ·AlN薄膜形成的工艺条件 | 第48页 |
| ·工艺参数对沉积速率的影响规律 | 第48-56页 |
| ·气体流量对薄膜沉积速率的影响 | 第48-52页 |
| ·射频功率对薄膜沉积速率的影响 | 第52-53页 |
| ·靶基距对薄膜沉积速率的影响 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对薄膜沉积速率的影响 | 第54-55页 |
| ·溅射气压对薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| ·正交试验设计分析 | 第56-58页 |
| ·靶面氮化反应的分析 | 第58-60页 |
| ·AlN薄膜的成分分析 | 第60-63页 |
| ·AlN薄膜的结构分析 | 第63-64页 |
| ·衬底温度对AlN薄膜结晶性的影响 | 第64-65页 |
| ·AlN薄膜的硬度 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所获得的奖励 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
