| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| §1-1 半导体微腔激光器的腔量子电动力学发展史 | 第7-9页 |
| 1-1-1 半导体微腔中的Rabi振荡 | 第7-8页 |
| 1-1-2 半导体微腔中腔极化激元的观测 | 第8-9页 |
| §1-2 半导体微腔激光器的发展 | 第9-11页 |
| 1-2-1 微腔激光器的类型 | 第9页 |
| 1-2-2 微腔激光器有源区结构 | 第9-10页 |
| 1-2-3 VCSEL的发展 | 第10-11页 |
| §1-3 本文的研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 半导体平面微腔的激子效应 | 第13-27页 |
| §2-1 半导体量子阱中的激子基本性质 | 第13-17页 |
| 2-1-1 激子性质 | 第13页 |
| 2-1-2 量子阱中的激子吸收 | 第13-14页 |
| 2-1-3 弱束缚激子模型 | 第14-16页 |
| 2-1-4 二维激子 | 第16-17页 |
| §2-2 用有限深势阱模型计算量子阱重，轻空穴激子跃迁能量 | 第17-26页 |
| 2-2-1 轻重空穴分裂及轻重空穴激子跃迁能的计算 | 第17-18页 |
| 2-2-2 有限深势阱模型计算电子、轻重空穴基态能量 | 第18-23页 |
| 2-2-3 量子阱井中激子结合能与振子强度 | 第23-25页 |
| 2-2-4 微腔中基态激子跃迁能计算结果 | 第25-26页 |
| 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 介质复折射率与线性色散关系模型 | 第27-32页 |
| §3-1 半导体的非线性效应 | 第27-29页 |
| 3-1-1 色散理论 | 第27-28页 |
| 3-1-2 Stanley Pau色散模型 | 第28-29页 |
| §3-2 微腔中含激子吸收时复折射率的计算 | 第29-31页 |
| 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 VCSEL反射率计算模型 | 第32-44页 |
| §4-1 VCSEL基本结构模型及光学理论基础 | 第32-37页 |
| 4-1-1 VCSEL的基本结构 | 第32页 |
| 4-1-2 有效反射率法分析多层DBR引起的反射率 | 第32-35页 |
| 4-1-3 F-P腔基本原理 | 第35-37页 |
| §4-2 VCSEL反射率计算模型 | 第37-43页 |
| 4-2-1 等效F-P腔法分析多层DBR光学特性的基本思想 | 第37-38页 |
| 4-2-2 未考虑激子效应与考虑激子效应微腔的反射率计算 | 第38-43页 |
| 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 激子效应对微腔激光器反射率的影响计算结果及分析 | 第44-50页 |
| §5-1 VCSEL反射率计算流程图 | 第44-45页 |
| §5-2 VCSEL反射率计算结果 | 第45-49页 |
| 小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
