| 前言 | 第1-11页 |
| 1 高倍增GaAs光电导开关简介 | 第11-14页 |
| 1．1 基本结构 | 第11页 |
| 1．2 基本特性 | 第11-13页 |
| 1．2．1 线性工作模式 | 第11-12页 |
| 1．2．2 非线性工作模式 | 第12-13页 |
| 1．3 应用前景 | 第13-14页 |
| 2 半导体器件数值模拟概述 | 第14-23页 |
| 2．1 引言 | 第14-17页 |
| 2．2 半导体器件计算机模拟的基本方程 | 第17-21页 |
| 2．2．1 常规器件的模型方程 | 第17-18页 |
| 2．2．2 小尺寸器件的模型方程 | 第18-21页 |
| 2．3 半导体器件计算机模拟的基本方法 | 第21-22页 |
| 2．4 本文选用的模拟方法 | 第22-23页 |
| 3 有限差分模拟法 | 第23-37页 |
| 3．1 有限差分法的基本概念 | 第23-31页 |
| 3．1．1 导数的有限差分近似 | 第24-28页 |
| 3．1．2 微分方程的有限差分法求解 | 第28-30页 |
| 3．1．3 非线性微分方程的有限差分法求解 | 第30-31页 |
| 3．2 器件模拟技术中常用的迭代法 | 第31-33页 |
| 3．3 有限差分法模拟GaAs特性 | 第33-36页 |
| 3．3．1 基本方程 | 第33-34页 |
| 3．3．2 基本方程的有限差分离散化 | 第34-35页 |
| 3．3．3 计算结果与分析 | 第35-36页 |
| 3．4 小结 | 第36-37页 |
| 4 Monte Carlo模拟法 | 第37-67页 |
| 4．1 Monte Carlo模拟发展概况 | 第37-41页 |
| 4．2 物理模型和物理参数 | 第41-49页 |
| 4．2．1 能带结构 | 第41-42页 |
| 4．2．2 散射种类 | 第42-47页 |
| 4．2．3 物理参数的选择 | 第47-49页 |
| 4．2．4 其它物理过程 | 第49页 |
| 4．3 器件的几何模型 | 第49页 |
| 4．4 边界和界面 | 第49-53页 |
| 4．4．1 自然边界 | 第50-51页 |
| 4．4．2 固定边界 | 第51-53页 |
| 4．5 网格划分、电荷分配、电场计算和时间步长选取 | 第53-59页 |
| 4．5．1 网格划分 | 第53-54页 |
| 4．5．2 超粒子的电荷 | 第54页 |
| 4．5．3 电荷分配和电场计算（粒子-网格方法） | 第54-57页 |
| 4．5．4 时间步长的选择 | 第57-59页 |
| 4．6 自由飞行和散射的处理 | 第59-61页 |
| 4．7 初始分布 | 第61页 |
| 4．8 GaAs PCSS’s NDM特性的Monte Carlo模拟 | 第61-67页 |
| 4．8．1 Γ带中电子的起始分布及抽样 | 第62页 |
| 4．8．2 散射率计算 | 第62-63页 |
| 4．8．3 电子平均漂移速度的计算 | 第63页 |
| 4．8．4 程序框图及计算结果 | 第63-67页 |
| 5 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 作者在攻读硕士期间所发表的论文 | 第71页 |