| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 前言 | 第6-9页 |
| 1． 电化学共沉积合成的原理 | 第9-18页 |
| 1．1 电化学共沉积的条件 | 第9-17页 |
| 1．1．1 电极电位的形成 | 第9-14页 |
| 1．1．2 影响共沉积的因素 | 第14-17页 |
| 1．2 电化学沉积物转化为合成物的热力学分析 | 第17-18页 |
| 2． 电化学沉积GaAs薄膜的实验 | 第18-24页 |
| 2．1 实验方法 | 第18-24页 |
| 2．1．1 沉积参数的选择分析 | 第18-22页 |
| 2．1．2 实验装置 | 第22-23页 |
| 2．1．3 电解液的准备 | 第23-24页 |
| 2．1．4 电极材料的预处理 | 第24页 |
| 2．1．5 沉积层成分的分析 | 第24页 |
| 3． 实验结果和分析 | 第24-29页 |
| 3．1 沉积参数对GaAs薄膜成分的影响 | 第24-28页 |
| 3．2 电化学沉积生长的GaAs薄膜的一些性能 | 第28-29页 |
| 3．2．1 物理化学性能 | 第28页 |
| 3．2．2 半导体性能 | 第28-29页 |
| 3．2．3 薄膜的表面形貌分析 | 第29页 |
| 3．2．4 薄膜的几何尺寸 | 第29页 |
| 3．2．5 X衍射结构分析 | 第29页 |
| 4． 讨论 | 第29页 |
| 5． 实验结论 | 第29-31页 |
| 6． 结束语 | 第31-32页 |
| 7． 参考文献 | 第32-34页 |
| 8． 附录 | 第34-41页 |
| 附录1 GaAs薄膜（1号样）的形貌和剖面象 | 第34-35页 |
| 附录2 1号样的薄膜成分分析 | 第35-36页 |
| 附录3 GaAs薄膜（3号样）的形貌 | 第36-37页 |
| 附录4 3号样的薄膜成分分析 | 第37-38页 |
| 附录5 GaAs薄膜的X射线衍射谱和d-值 | 第38-39页 |
| 附录6 2号样的薄膜成分分析 | 第39-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
| 附件： 就读期间发表的有关论文 | 第42-53页 |
| 1． 《陶瓷材料生产过程中流程图模型节能研究》（《新能源》1999．4） | 第43-47页 |
| 2． 《电化学沉积砷化镓薄膜中电解液PH值自动控制的研究》（《新能源》通知录用） | 第47-52页 |
| 3． 《氟络钛酸钾合成技术研究》（《化工新型材料》1995．8） | 第52-53页 |
