| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-25页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·问题的提出 | 第13页 |
| ·研究的意义 | 第13-14页 |
| ·金属氧化物气敏传感器 | 第14-20页 |
| ·气敏传感器的分类 | 第14-16页 |
| ·金属氧化物气敏传感器 | 第16-17页 |
| ·几种主要的金属氧化物气敏材料的研究现状及发展趋势 | 第17-20页 |
| ·气敏传感器的发展方向 | 第20-23页 |
| ·气敏传感器的发展方向 | 第20-21页 |
| ·电阻型WO_3 薄膜气敏传感器 | 第21-23页 |
| ·本课题研究的主要目的和内容 | 第23-25页 |
| 2 WO_3 的晶体结构及性质 | 第25-40页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·WO_3 的晶体结构及基本性质 | 第25-28页 |
| ·三氧化钨的晶体结构 | 第25-27页 |
| ·WO_3 的物理性质 | 第27-28页 |
| ·WO_3 的一般化学性质 | 第28页 |
| ·金属氧化物的点缺陷和WO_3 薄膜缺陷 | 第28-34页 |
| ·金属氧化物的点缺陷 | 第28-30页 |
| ·薄膜生长模式与薄膜中的缺陷 | 第30-32页 |
| ·WO_3 薄膜中的缺陷 | 第32-34页 |
| ·WO_3 薄膜的变色特性及应用 | 第34-39页 |
| ·WO_3 的电致变色特性及其应用 | 第34-36页 |
| ·WO_3 薄膜的光致变色特性及应用 | 第36页 |
| ·WO_3 薄膜的气致变色特性及应用 | 第36-38页 |
| ·WO_3 材料的其它应用 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 3 WO_3 薄膜样品的制备 | 第40-60页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·薄膜制备技术简介 | 第40-44页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第40页 |
| ·溅射沉积 | 第40-41页 |
| ·气相生长沉积 | 第41页 |
| ·外延沉积 | 第41-42页 |
| ·激光沉积 | 第42-43页 |
| ·溶胶-凝胶技术 | 第43页 |
| ·自组装与分子自组装技术 | 第43-44页 |
| ·本研究选择的制膜工艺 | 第44页 |
| ·反应磁控溅射制备WO_3 薄膜 | 第44-55页 |
| ·反应磁控溅射的基本原理 | 第44-49页 |
| ·反应磁控溅射制备薄膜的优缺点 | 第49-50页 |
| ·影响反应磁控溅射沉积WO_3 薄膜的主要因素 | 第50-55页 |
| ·WO_3 掺杂薄膜的制备 | 第55-59页 |
| ·气敏薄膜材料掺杂的意义 | 第55-57页 |
| ·WO_3 基掺杂气敏薄膜的开发进展 | 第57-58页 |
| ·WO_3 掺杂薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 4 WO_3 薄膜的表征 | 第60-79页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第60-65页 |
| ·X 射线衍射的基本原理 | 第60-61页 |
| ·WO_3 薄膜样品的物相分析 | 第61-65页 |
| ·热处理对WO_3 薄膜结构的影响 | 第65-69页 |
| ·热处理对薄膜厚度的影响 | 第65-66页 |
| ·热处理对晶粒大小的影响 | 第66-67页 |
| ·热处理对薄膜表面形貌的影响 | 第67-69页 |
| ·透射光谱分析 | 第69-72页 |
| ·X 光电子能谱（XPS）分析 | 第72-78页 |
| ·X 光电子能谱基本原理 | 第72-73页 |
| ·WO_3 薄膜样品表面性质的XPS 谱分析 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 5 WO_3 薄膜的光学性质 | 第79-94页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·WO_3 薄膜的光学常数 | 第79-83页 |
| ·WO_3 薄膜光学常数提取方法 | 第79-81页 |
| ·WO_3 薄膜的光学常数 | 第81-83页 |
| ·WO_3 薄膜的光学带隙 | 第83-90页 |
| ·直接跃迁 | 第84-87页 |
| ·间接跃迁 | 第87-89页 |
| ·WO_3 薄膜的光学带隙 | 第89-90页 |
| ·热处理对WO_3 薄膜光学性质的影响 | 第90-92页 |
| ·TI 掺杂对WO_3 薄膜光学性质的影响 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 6 WO_3 薄膜与WO_3 基薄膜的气敏响应特性 | 第94-118页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·测试系统的建立 | 第94-95页 |
| ·纯WO_3 薄膜的气敏响应特性 | 第95-102页 |
| ·纯WO_3 薄膜的电阻温度关系(R-T 曲线) | 第95-97页 |
| ·纯WO_3 薄膜对氧化性气体NO_2 的气敏效应 | 第97-101页 |
| ·纯WO_3 薄膜对还原性气体LPG 的气敏效应 | 第101-102页 |
| ·TI 掺杂WO_3 薄膜的响应特性 | 第102-105页 |
| ·TI 掺杂WO_3 薄膜的R-T 曲线 | 第102-103页 |
| ·TI 掺杂WO_3 薄膜对还原性气体LPG 的气敏效应 | 第103-105页 |
| ·气敏机理 | 第105-111页 |
| ·半导体金属氧化物气体传感器的敏感机理 | 第105-109页 |
| ·N 型WO_3 薄膜气敏材料的敏感机理 | 第109-110页 |
| ·P 型WO_3 薄膜气敏材料的敏感机理 | 第110-111页 |
| ·WO_3 薄膜光学型气敏传感器的敏感特性测试与分析 | 第111-117页 |
| ·光学型薄膜气敏材料 | 第111-112页 |
| ·WO_3 掺钯薄膜光学气敏测试 | 第112-113页 |
| ·WO_3 掺钯薄膜H2 敏感特性分析 | 第113-116页 |
| ·WO_3 薄膜气敏光学机理分析 | 第116-117页 |
| ·本章小结 | 第117-118页 |
| 7 结论与展望 | 第118-120页 |
| ·主要结论 | 第118-119页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-135页 |
| 附录 | 第135-138页 |
| A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录： | 第135页 |
| B. 作者在攻读学位期间取得的科研成果目录： | 第135-138页 |
