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基于90纳米工艺静态存储器的测试方法学

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第一章 简介第8-12页
   ·测试的重要性第8-9页
   ·测试的经济性第9-10页
   ·半导体存储器及其测试第10-11页
   ·本文的概括第11-12页
第二章 存储器的结构第12-30页
   ·存储器模型第12-13页
   ·单端口存储器第13-20页
     ·单端口存储器的功能模型第13-14页
     ·单端口存储器的电气模型第14-20页
   ·双端口存储器第20-30页
     ·双端口存储器的功能模型第21页
     ·双端口存储器的电气模型第21-30页
第三章 存储器的功能失效第30-54页
   ·单端口存储器的功能失效第30-38页
     ·单端口存储器的阵列失效第31-35页
     ·单端口地址解码失效第35-37页
     ·读写逻辑的失效第37页
     ·连接失效第37-38页
   ·双端口存储器的功能失效第38-54页
     ·双端口存储单元阵列失效第40-45页
     ·双端口存储器地址解码失效第45-52页
     ·读写逻辑失效第52-54页
第四章 存储器的功能测试第54-62页
   ·Zero-One 测试第54-55页
   ·Checkerboard第55页
   ·March第55-62页
第五章 基于90 纳米工艺的存储器测试第62-78页
   ·J750 测试平台第62-63页
   ·基于90 纳米工艺的存储器测试第63-72页
     ·功能测试第63-70页
     ·数据保持性能测试第70页
     ·功耗测试第70-72页
   ·成品率数据第72-75页
   ·数据分析第75-78页
第六章 结论和建议第78-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-83页
其它研究成果第83-84页

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