稀土镝、钕、镧掺杂纳米SnO2薄膜的特性
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| (一) 研究背景 | 第10页 |
| (二) 金属氧化物半导体薄膜气敏材料的研究现状 | 第10-12页 |
| (三) SnO_2的基本特性 | 第12-13页 |
| (四) SnO_2薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| (五) 半导体薄膜制备的热处理技术 | 第15页 |
| (六) 金属氧化物半导体薄膜材料的气敏原理 | 第15-18页 |
| (七) 稀土材料的基本性质和应用 | 第18页 |
| (八) 研究目的及意义 | 第18-19页 |
| 第二章 实验 | 第19-23页 |
| (一) 实验设备 | 第19-20页 |
| (二) 主要化学试剂、衬底基片、蒸发源材料 | 第20页 |
| (三) 测试方法及仪器 | 第20-21页 |
| (四) 衬底及蒸发源的清洁处理 | 第21页 |
| (五) 实验过程 | 第21-23页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第23-56页 |
| (一) 薄膜的结构特性 | 第23-36页 |
| (二) SnO_2薄膜表面形貌特征 | 第36-40页 |
| (三) 薄膜的导电性能 | 第40页 |
| (四) 薄膜的光学特性 | 第40-46页 |
| (五) SnO_2薄膜的气敏特性 | 第46-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第63页 |
| 硕士期间参加的科研课题 | 第63页 |
