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形式因子对双量子点电荷量子比特压电纵声学声子退相干的影响

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-7页
1 绪论第7-15页
   ·量子计算机的概念及其发展背景第7-8页
   ·量子点和量子计算机的量子点方案第8-9页
   ·双量子点电荷量子比特方案第9页
   ·本文的研究背景第9-12页
   ·本文的研究方法—约化密度矩阵第12-13页
   ·本文主要研究工作第13-15页
2 理论框架第15-23页
   ·圆柱形双量子点电荷量子比特声子退相干第15-20页
   ·无限深方势阱双量子点电荷量子比特声子退相干第20-23页
3 结果与讨论第23-36页
   ·量子点的厚度对声子退相干的影响第23-30页
   ·无限深方势阱模型下的声子退相干第30-34页
   ·与实验中得到的品质因数比较第34-36页
4 结论第36-37页
参考文献第37-43页
附录第43-47页
致谢第47页

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