| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 多晶硅及其制备方法 | 第11-25页 |
| ·多晶硅的基本性质及应用简介 | 第11-13页 |
| ·多晶硅的基本性质 | 第11页 |
| ·多晶硅的应用 | 第11-13页 |
| ·多晶硅的制备方法 | 第13-20页 |
| ·西门子法 | 第13-16页 |
| ·硅烷法 | 第16-18页 |
| ·流化床法 | 第18页 |
| ·其他制备工艺 | 第18-20页 |
| ·四氯化硅的基本性质与应用简介 | 第20-22页 |
| ·四氯化硅的基本性质 | 第20-21页 |
| ·四氯化硅的处理与应用 | 第21-22页 |
| ·由四氯化硅制备多晶硅的可行性 | 第22-23页 |
| ·由四氯化硅制备多晶硅的研究现状 | 第23-25页 |
| 2 等离子体化学气相沉积及其应用于多晶硅的制备 | 第25-30页 |
| ·等离子体技术概述 | 第25-27页 |
| ·等离子体的概念 | 第25页 |
| ·等离子体的分类 | 第25-26页 |
| ·等离子体的性质 | 第26-27页 |
| ·等离子体化学气相沉积技术概述 | 第27-28页 |
| ·等离子体化学气相沉积制备多晶硅研究概述 | 第28页 |
| ·本论文的研究意义及内容 | 第28-30页 |
| 3 实验部分 | 第30-38页 |
| ·实验装置 | 第30-32页 |
| ·实验流程 | 第30页 |
| ·反应器结构 | 第30-32页 |
| ·电压-电流波形及功率的测定 | 第32-35页 |
| ·电压-电流波形及功率的测量原理 | 第32页 |
| ·典型的电压-电流波形及Lissajous图形 | 第32-35页 |
| ·表征方法 | 第35-37页 |
| ·XRD | 第35页 |
| ·Raman | 第35-36页 |
| ·SEM | 第36页 |
| ·EDX | 第36-37页 |
| ·发射光谱 | 第37-38页 |
| 4 大气压等离子体化学气相沉积制备多晶硅 | 第38-52页 |
| ·放电电源的影响 | 第38-41页 |
| ·不同放电电源制备样品的晶体结构 | 第38页 |
| ·不同放电电源制备样品的拉曼光谱 | 第38-40页 |
| ·不同放电电源制备样品的表面形貌 | 第40页 |
| ·不同放电电源制备样品的元素分析 | 第40-41页 |
| ·He稀释气的影响 | 第41-44页 |
| ·单源放电He稀释气对制备样品晶体结构的影响 | 第42页 |
| ·单源放电He稀释气对制备样品表面形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·双源放电He稀释气对制备样品晶体结构的影响 | 第44页 |
| ·H_2分压的影响 | 第44-46页 |
| ·不同H_2分压制备样品的晶体结构 | 第44页 |
| ·不同H_2分压制备样品的表面形貌 | 第44-46页 |
| ·放电功率的影响 | 第46-47页 |
| ·单源放电不同功率制备样品的晶体结构 | 第46-47页 |
| ·双源放电不同功率制备样品的晶体结构 | 第47页 |
| ·SiCl_4分压的影响 | 第47-51页 |
| ·单源放电不同SiCl_4分压制备样品的晶体结构 | 第49页 |
| ·双源放电不同SiCl_4分压制备样品的晶体结构 | 第49-51页 |
| ·气体流速的影响 | 第51-52页 |
| 5 SiCl_4+H_2体系的等离子体发射光谱诊断 | 第52-73页 |
| ·发射光谱简介 | 第52-54页 |
| ·发射光谱的基本原理 | 第52-53页 |
| ·电子的激发温度 | 第53-54页 |
| ·放电电源频率的影响 | 第54-57页 |
| ·不同频率的电源对H_2放电体系的影响 | 第54-55页 |
| ·不同频率的电源对H_2+SiCl_4放电体系的影响 | 第55-57页 |
| ·He稀释气的影响 | 第57-59页 |
| ·H_2分压的影响 | 第59-61页 |
| ·SiCl_4分压的影响 | 第61-63页 |
| ·放电功率的影响 | 第63-65页 |
| ·内标法计算不同放电功率下氢原子数密度和氢分子解离率 | 第65-73页 |
| ·内标法的基本原理 | 第65页 |
| ·基态氢原子数密度 | 第65-67页 |
| ·氢分子解离率 | 第67页 |
| ·Ar内标气浓度的选择 | 第67-69页 |
| ·不同放电功率对氢原子数密度和氢分子解离率的影响 | 第69-73页 |
| 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
