| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-24页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第13页 |
| ·压电陶瓷简介 | 第13-18页 |
| ·压电效应及其产生机理 | 第13-15页 |
| ·压电陶瓷的发展历史 | 第15-16页 |
| ·低温烧结的发展历史 | 第16页 |
| ·压电陶瓷的应用 | 第16-17页 |
| ·压电陶瓷基本参数 | 第17-18页 |
| ·低温烧结的方法 | 第18-22页 |
| ·液相烧结 | 第18-20页 |
| ·改进制粉工艺 | 第20-21页 |
| ·改进烧结工艺 | 第21-22页 |
| ·讨论 | 第22页 |
| ·掺杂改性的研究 | 第22-23页 |
| ·研究的目的和内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验方法及测试手段 | 第24-33页 |
| ·实验原料及仪器设备 | 第24-25页 |
| ·陶瓷样品的制备 | 第25-30页 |
| ·预烧 | 第26-27页 |
| ·排塑 | 第27-28页 |
| ·烧成 | 第28-29页 |
| ·烧渗银 | 第29-30页 |
| ·样品的结构及性能表征方法 | 第30-33页 |
| ·样品体积密度的测量 | 第30页 |
| ·样品的X 射线衍射（XRD）分析 | 第30页 |
| ·样品的显微结构（SEM）分析 | 第30-31页 |
| ·样品的介电学性能测试 | 第31页 |
| ·样品的压电学性能测试 | 第31-33页 |
| 第3章 单氧化物掺杂对 PZT 基压电陶瓷的影响 | 第33-50页 |
| ·掺杂WO_3对 PMS-PNN-PZT 压电陶瓷的影响 | 第33-40页 |
| ·WO_3的掺杂量对体系相结构的影响 | 第33-34页 |
| ·WO_3的掺杂量对体系的密度及显微组织的影响 | 第34-36页 |
| ·WO_3的掺杂量对体系电性能的影响 | 第36-38页 |
| ·烧结温度对掺杂 WO_3的体系的密度及显微组织的影响 | 第38-39页 |
| ·烧结温度对掺杂 WO_3的体系的电性能的影响 | 第39-40页 |
| ·WO_3降低体系烧结温度的机理分析 | 第40页 |
| ·小结 | 第40页 |
| ·掺杂CuO对PMS-PNN-PZT压电陶瓷的影响 | 第40-50页 |
| ·CuO 的掺杂量对体系相结构的影响 | 第41-42页 |
| ·CuO 的掺杂量对体系的密度及显微组织的影响 | 第42-44页 |
| ·CuO 的掺杂量对体系电性能的影响 | 第44-45页 |
| ·烧结温度对掺杂CuO 的体系的密度及显微组织的影响 | 第45-47页 |
| ·烧结温度对掺杂CuO 的体系的电性能的影响 | 第47-49页 |
| ·CuO 降低体系烧结温度的机理分析 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第4章 PFW,PCN 对 PZT 压电陶瓷的影响 | 第50-66页 |
| ·PFW 含量对 PFW-PZT 压电陶瓷的影响 | 第50-57页 |
| ·PFW 的掺杂量对体系相结构的影响 | 第50-51页 |
| ·PFW 含量对体系的密度及显微组织的影响 | 第51-53页 |
| ·PFW 含量对体系电性能的影响 | 第53-55页 |
| ·烧结温度对体系的密度及显微组织的影响 | 第55-56页 |
| ·烧结温度对体系电性能的影响 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57页 |
| ·PCN 含量对 PCN-PFW-PZT 压电陶瓷的影响 | 第57-66页 |
| ·PCN 含量对体系相结构的影响 | 第57-58页 |
| ·PCN 含量对体系的密度及显微组织的影响 | 第58-60页 |
| ·PCN 含量对体系电性能的影响 | 第60-61页 |
| ·烧结温度对体系的密度及显微组织的影响 | 第61-63页 |
| ·烧结温度对体系电性能的影响 | 第63页 |
| ·气氛及过量铅含量对样品相结构的影响 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第5章 结论 | 第66-68页 |
| ·全文主要结论 | 第66-67页 |
| ·主要创新点 | 第67页 |
| ·进一步研究工作的建议 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 在学期间主要科研成果 | 第74页 |
