PIN限幅器高功率微波重复脉冲效应机理研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 高功率微波简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 微波脉冲效应的研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第11-13页 |
| 1.2.1 半导体器件高功率微波效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 PIN限幅器研究概况 | 第12-13页 |
| 1.2.3 高功率微波效应实验系统 | 第13页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 PIN限幅器工作原理及损伤机理方法研究 | 第15-30页 |
| 2.1 微波脉冲对射频前端各模块的影响 | 第15-17页 |
| 2.1.1 微波开关 | 第15页 |
| 2.1.2 滤波器 | 第15-16页 |
| 2.1.3 低噪声放大器 | 第16页 |
| 2.1.4 限幅器 | 第16-17页 |
| 2.2 PIN二极管和限幅电路 | 第17-22页 |
| 2.2.1 PIN二极管简介 | 第17-19页 |
| 2.2.2 PIN限幅器的结构和工作原理 | 第19-22页 |
| 2.3 半导体器件主要失效机理描述 | 第22-24页 |
| 2.3.1 电子元器件常见的失效机理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 电子元器件失效物理模型 | 第23-24页 |
| 2.4 PIN限幅器损伤性质(损伤形态)研究 | 第24-28页 |
| 2.4.1 本征损伤 | 第25-27页 |
| 2.4.2 有缺陷损伤(非本征损伤) | 第27页 |
| 2.4.3 热效应积累 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 重复脉冲作用下微损伤状态研究 | 第30-52页 |
| 3.1 PIN二极管表面线缺陷损伤的增长行为 | 第30-35页 |
| 3.1.1 线缺陷物理模型建立 | 第31-33页 |
| 3.1.2 线缺陷仿真结果 | 第33-35页 |
| 3.2 PIN二极管表面线缺陷增长对限幅器的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 PIN限幅器损伤变化情况的实验研究 | 第36-51页 |
| 3.3.1 实验设计 | 第36-38页 |
| 3.3.2 重复脉冲注入实验 | 第38-39页 |
| 3.3.3 不同损伤程度PIN限幅器工作特性实验 | 第39-45页 |
| 3.3.4 不同损伤程度管芯解剖 | 第45-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 脉冲间隔对多体制脉冲效应的影响研究 | 第52-64页 |
| 4.1 组合脉冲热效应机理分析 | 第52-56页 |
| 4.2 多体制组合脉冲仿真分析 | 第56-58页 |
| 4.3 组合脉冲间隔损伤情况的实验研究 | 第58-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 论文主要贡献 | 第64页 |
| 5.2 论文不足之处与工作展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
