| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 选题背景 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 半导体室温核辐射探测器的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 PbI_2材料及其探测器 | 第11-13页 |
| 1.2.3 PbI_2探测器的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 选题的创新性与意义 | 第14页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 晶体生长方法与探测器设计理论 | 第16-27页 |
| 2.1 PbI_2单晶生长方法 | 第16-18页 |
| 2.1.1 垂直布里奇曼法 | 第16页 |
| 2.1.2 气相输运法 | 第16-17页 |
| 2.1.3 浮区法 | 第17页 |
| 2.1.4 水平区熔法 | 第17-18页 |
| 2.2 PbI_2晶体的表征方法 | 第18-19页 |
| 2.2.1 金相组织观察 | 第18页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析 | 第18-19页 |
| 2.2.3 红外光谱 | 第19页 |
| 2.2.4 紫外可见光谱 | 第19页 |
| 2.3 半导体表面理论 | 第19-20页 |
| 2.4 激光与材料的相互作用 | 第20-21页 |
| 2.5 欧姆接触 | 第21-23页 |
| 2.6 PbI_2探测器的性能表征 | 第23-26页 |
| 2.6.1 暗电流与I-V特性 | 第23页 |
| 2.6.2 光电导效应和附加电导率 | 第23-24页 |
| 2.6.3 灵敏度 | 第24-25页 |
| 2.6.4 响应时间和陷阱效应 | 第25-26页 |
| 2.6.5 信噪比 | 第26页 |
| 2.7 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 PbI_2晶体生长工艺研究 | 第27-32页 |
| 3.1 晶体生长装置 | 第27页 |
| 3.2 晶体生长工艺 | 第27-28页 |
| 3.3 生长结果与讨论 | 第28-29页 |
| 3.4 PbI_2晶体的形貌表征 | 第29-30页 |
| 3.5 X射线衍射分析 | 第30-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 PbI_2晶体的表面处理和接触电极研究 | 第32-43页 |
| 4.1 PbI_2晶体的切割 | 第32页 |
| 4.2 PbI_2晶体的研磨与机械抛光 | 第32-34页 |
| 4.3 激光对PbI_2晶体的表面处理 | 第34-35页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第34-35页 |
| 4.3.2 激光能量密度和扫描速度对晶体表面的影响 | 第35页 |
| 4.4 表面处理工艺对晶体形貌的影响 | 第35-37页 |
| 4.5 表面处理工艺对晶体光学性能的影响 | 第37-38页 |
| 4.6 表面处理工艺对晶体结构性能的影响 | 第38-39页 |
| 4.7 表面处理工艺对I-V特性的影响 | 第39-40页 |
| 4.8 电极制作 | 第40页 |
| 4.9 器件封装 | 第40-41页 |
| 4.10 不同电极的I-V特性 | 第41-42页 |
| 4.11 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 PbI_2阵列探测器的电极设计及性能测试 | 第43-61页 |
| 5.1 探测器电极的模拟优化设计 | 第43-52页 |
| 5.1.1 基于Maxwell的探测器电场模拟概述 | 第43-44页 |
| 5.1.2 电极结构对探测器电场的影响 | 第44-48页 |
| 5.1.3 电极形状对探测器电场的影响 | 第48-51页 |
| 5.1.4 电极尺寸对探测器电场的影响 | 第51-52页 |
| 5.2 不同结构的PbI_2探测器的性能对比 | 第52-56页 |
| 5.2.1 I-V特性 | 第52-53页 |
| 5.2.2 不同偏置电压下的暗电流 | 第53-54页 |
| 5.2.3 X射线光电流响应特性 | 第54-56页 |
| 5.3 PbI_2阵列探测器的均匀性 | 第56-57页 |
| 5.4 不同电极形状的PbI_2探测器的性能对比 | 第57-59页 |
| 5.5 不同电极尺寸的PbI_2探测器的性能对比 | 第59-60页 |
| 5.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 结论 | 第61页 |
| 6.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者在读期间科研成果简介 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |