| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 锂离子电池简介 | 第14-21页 |
| 1.2.1 锂离子电池的发展历史 | 第14页 |
| 1.2.2 锂离子电池的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.3 锂离子电池的组成结构 | 第15-21页 |
| 1.3 硅负极材料国内外的研究现状 | 第21-24页 |
| 1.3.1 硅电极制备方法改性 | 第21-23页 |
| 1.3.2 硅电极变形失效的观测 | 第23-24页 |
| 1.4 电极失效的数值分析 | 第24-26页 |
| 1.5 本文研究内容和意义 | 第26-28页 |
| 第二章 硅薄膜电极的变形及应力分析 | 第28-42页 |
| 2.1 硅薄膜失效机制的有限元模型 | 第28-33页 |
| 2.1.1 硅薄膜模型分析 | 第28-30页 |
| 2.1.2 有限元法及ABAQUS软件简介 | 第30-32页 |
| 2.1.3 硅薄膜材料参数 | 第32页 |
| 2.1.4 边界条件 | 第32-33页 |
| 2.2 硅薄膜位移场与应力场分析 | 第33-40页 |
| 2.2.1 材料软化的影响 | 第33-34页 |
| 2.2.2 嵌锂过程浓度场、应力场分析 | 第34-37页 |
| 2.2.3 脱锂过程浓度场、应力场分析 | 第37-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 硅薄膜的制备及其电化学性能测试 | 第42-55页 |
| 3.1 磁控溅射法制备硅薄膜 | 第42-45页 |
| 3.2 硅薄膜形貌表征与结构分析 | 第45-48页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第45-47页 |
| 3.2.2 X射线衍射分析(XRD) | 第47-48页 |
| 3.3 硅薄膜电化学性能测试 | 第48-54页 |
| 3.3.1 交流阻抗测试 | 第48-49页 |
| 3.3.2 循环伏安测试 | 第49-50页 |
| 3.3.3 恒流充放电测试 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 Zr层厚度对硅薄膜电极失效影响分析及其实验验证 | 第55-60页 |
| 4.1 有限元模型 | 第55页 |
| 4.2 嵌/脱锂过程金属层厚度对应力应变场的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 Zr层厚度对Si-Zr薄膜电极的电化学性能研究 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第69页 |