| 提要 | 第1-10页 |
| 第一章 绪 论 | 第10-44页 |
| 第一节 胶体晶体的组装 | 第11-27页 |
| ·垂直沉积方法组装胶体晶体 | 第11-17页 |
| ·提拉法 | 第13-15页 |
| ·恒温快速蒸发法 | 第15-17页 |
| ·力场作用组装胶体晶体 | 第17-20页 |
| ·重力场组装 | 第17-18页 |
| ·离心场组装 | 第18-19页 |
| ·电场组装 | 第19页 |
| ·静电力场组装 | 第19-20页 |
| ·限域组装胶体晶体 | 第20-23页 |
| ·硬模板限域法 | 第21-22页 |
| ·软模板限域法 | 第22-23页 |
| ·特殊形貌胶体晶体 | 第23-27页 |
| ·非紧密胶体晶体 | 第24-25页 |
| ·非球形胶体晶体 | 第25-26页 |
| ·缺陷胶体晶体 | 第26-27页 |
| 第二节 胶体晶体的应用 | 第27-41页 |
| ·功能胶体晶体 | 第27-28页 |
| ·三维胶体晶体的应用 | 第28-32页 |
| ·三维有序大孔材料 | 第28-29页 |
| ·大孔材料的应用 | 第29-31页 |
| ·模板辅助奇特粒子的构筑 | 第31-32页 |
| ·二维胶体晶体的应用 | 第32-41页 |
| ·模板应用 | 第33-35页 |
| ·辅助去湿行为 | 第35-36页 |
| ·双模板应用 | 第36-39页 |
| ·微/纳阵列的应用 | 第39-41页 |
| 第四节 本论文的选题及设计思路 | 第41-44页 |
| 第二章 基于软光刻技术构筑可调控结构的二维非紧密胶体晶体 | 第44-64页 |
| 第一节 引 言 | 第44-45页 |
| 第二节 实验部分 | 第45-49页 |
| ·实验原料 | 第45页 |
| ·实验操作 | 第45-49页 |
| ·基片处理 | 第45-46页 |
| ·胶体晶体的自组装 | 第46页 |
| ·PDMS 模板的制备 | 第46-47页 |
| ·单流程非紧密胶体晶体的构筑 | 第47页 |
| ·PVA 膜层的去除 | 第47-48页 |
| ·循环实验流程 | 第48页 |
| ·构筑一维微球阵列结构 | 第48-49页 |
| ·表征仪器 | 第49页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第49-63页 |
| ·二维胶体晶体的布拉维定义 | 第49-50页 |
| ·晶格间距调控 | 第50-52页 |
| ·晶格间距的理论计算 | 第52-54页 |
| ·晶格结构的调控 | 第54-57页 |
| ·图案化非紧密胶体晶体 | 第57-58页 |
| ·胶体晶体一维结构 | 第58-63页 |
| ·PDMS 形变机理 | 第58-59页 |
| ·各向同性的PDMS 模板 | 第59-60页 |
| ·各向异性的PDMS 模板 | 第60-61页 |
| ·平整的PDMS 模板 | 第61-63页 |
| 第四节 本章小结 | 第63-64页 |
| 第三章 胶体晶体阵列辅助调控荧光强度 | 第64-86页 |
| 第一节 引 言 | 第64-65页 |
| 第二节 实验部分 | 第65-68页 |
| ·实验原料 | 第65页 |
| ·实验操作 | 第65-67页 |
| ·基片处理 | 第65页 |
| ·胶体晶体的自组装 | 第65-66页 |
| ·CPVKOVDAC 膜层的制备 | 第66页 |
| ·二维非紧密胶体晶体的制备 | 第66页 |
| ·实验流程 | 第66-67页 |
| ·荧光强度的测试 | 第67页 |
| ·表征仪器 | 第67-68页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第68-83页 |
| ·实验操作对荧光强度影响 | 第68-71页 |
| ·微球转移过程和HF 刻蚀过程的影响 | 第68-69页 |
| ·膜厚度的影响 | 第69-70页 |
| ·RIE 过程的影响 | 第70-71页 |
| ·荧光聚合物周期阵列的构筑及荧光表征 | 第71-76页 |
| ·相同a/d 阵列的构筑 | 第71-73页 |
| ·不同晶格间距阵列的构筑 | 第73-76页 |
| ·机理的理论计算 | 第76-83页 |
| ·发射荧光的界面反射 | 第76-78页 |
| ·带隙作用 | 第78-80页 |
| ·荧光强度计算 | 第80-83页 |
| 第四节 本章小结 | 第83-86页 |
| 第四章 可控构筑荧光柱状条形码 | 第86-108页 |
| 第一节 引 言 | 第86-87页 |
| 第二节 实验部分 | 第87-91页 |
| ·实验原料 | 第87-88页 |
| ·实验操作 | 第88-90页 |
| ·基片处理 | 第88页 |
| ·胶体晶体的自组装 | 第88页 |
| ·二维非紧密微球阵列的构筑 | 第88页 |
| ·单层纳米柱阵列的制备 | 第88-89页 |
| ·双段节纳米柱阵列的构筑 | 第89页 |
| ·多段节纳米柱阵列的构筑 | 第89-90页 |
| ·自支持纳米柱的收集 | 第90页 |
| ·表征仪器 | 第90-91页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第91-106页 |
| ·PPV 纳米柱阵列的构筑 | 第91-94页 |
| ·纳米柱阵列的形貌 | 第91-92页 |
| ·纳米柱阵列的荧光性质 | 第92-93页 |
| ·纳米柱阵列高度调节 | 第93-94页 |
| ·多段节纳米柱阵列的构筑 | 第94-101页 |
| ·双段节纳米柱阵列 | 第94-96页 |
| ·三段节纳米柱阵列 | 第96-100页 |
| ·多段节纳米柱阵列 | 第100-101页 |
| ·纳米柱的释放 | 第101-103页 |
| ·纳米柱形状完整性 | 第101-102页 |
| ·单分散的荧光条形码 | 第102-103页 |
| ·湿敏纳米柱阵列的构筑 | 第103-106页 |
| 第四节 本章小结 | 第106-108页 |
| 结论 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 作者简历 | 第127页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第127-130页 |
| 中文摘要 | 第130-133页 |
| Abstract | 第133-137页 |