| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 TFT的器件原理以及主要性能参数 | 第11-14页 |
| 1.2.1 TFT的主要结构 | 第11页 |
| 1.2.2 TFT的工作模式 | 第11-13页 |
| 1.2.3 TFT的性能参数 | 第13-14页 |
| 1.3 p型氧化物TFT的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第15-16页 |
| 1.5 NiO_x-TFT 的研究现状 | 第16-20页 |
| 第2章 薄膜样品的制备技术以及表征手段 | 第20-25页 |
| 2.1 薄膜的制备技术 | 第20-21页 |
| 2.1.1 等离子清洗机 | 第20页 |
| 2.1.2 匀胶机 | 第20页 |
| 2.1.3 加热台 | 第20-21页 |
| 2.1.4 热蒸发镀膜机 | 第21页 |
| 2.2 薄膜的表征手段以及TFT器件的电学性能测试系统 | 第21-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第21-22页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第22页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第22页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第22-23页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试仪(Hall) | 第23页 |
| 2.2.6 紫外-可见光分光光度计 | 第23-24页 |
| 2.2.7 椭偏仪 | 第24页 |
| 2.2.8 TFT器件电学性能测试仪 | 第24-25页 |
| 第3章 不同退火温度对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第25-40页 |
| 3.1 溶液法制备p型NiO_x-TFT器件 | 第25-26页 |
| 3.1.1 溶液法制备不同退火温度下NiO_x薄膜的实验流程 | 第25页 |
| 3.1.2 p型NiO_x-TFT器件的制备 | 第25-26页 |
| 3.2 不同退火温度下制备的NiO_x薄膜表征分析 | 第26-35页 |
| 3.2.1 不同退火温度下NiO_x薄膜的椭偏分析 | 第26-28页 |
| 3.2.2 不同退火温度下NiO_x薄膜的AFM分析 | 第28页 |
| 3.2.3 不同退火温度下NiO_x薄膜的SEM分析 | 第28-29页 |
| 3.2.4 不同退火温度下NiO_x薄膜的XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.2.5 不同退火温度NiO_x薄膜的透光度及禁带宽度分析 | 第30-31页 |
| 3.2.6 不同退火温度下NiO_x薄膜电阻率测试分析 | 第31-32页 |
| 3.2.7 不同退火温度下NiO_x薄膜X射线光电子能谱分析 | 第32-35页 |
| 3.3 不同退火温度对NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第35-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 不同厚度对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第40-48页 |
| 4.1 溶液法制备不同厚度的NiO_x薄膜及NiO_x-TFT器件 | 第40页 |
| 4.1.1 溶液法制备不同厚度的NiO_x薄膜的实验流程 | 第40页 |
| 4.1.2 不同厚度NiO_x-TFT器件的制备 | 第40页 |
| 4.2 不同厚度的NiO_x薄膜表征分析 | 第40-44页 |
| 4.2.1 不同厚度NiO_x薄膜的椭偏分析 | 第40-42页 |
| 4.2.2 不同厚度NiO_x薄膜的XRD分析 | 第42页 |
| 4.2.3 不同厚度NiO_x薄膜的AFM分析 | 第42-43页 |
| 4.2.4 不同厚度NiO_x薄膜的SEM分析 | 第43-44页 |
| 4.3 不同有源层厚度对NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 不同电极、前驱体配制、金属化后退火及High-kAl_2O_3绝缘层对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第48-62页 |
| 5.1 不同电极对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第48-52页 |
| 5.1.1 不同电极NiO_x-TFT器件的制备 | 第48-49页 |
| 5.1.2 不同电极NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第49-52页 |
| 5.2 电极金属化后退火处理对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第52-54页 |
| 5.2.1 NiO_x-TFT器件的电极金属化后退火处理工艺 | 第53页 |
| 5.2.2 金属化后退火处理的NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第53-54页 |
| 5.3 前驱体溶液中乙醇胺对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第54-56页 |
| 5.3.1 前驱体溶液配制实验流程 | 第54页 |
| 5.3.2 MEA对NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第54-56页 |
| 5.4 NiO_x器件放置环境及时间对NiO_x-TFT器件的影响及机理分析 | 第56-58页 |
| 5.4.1 NiO_x-TFT器件放置环境及时间 | 第56页 |
| 5.4.2 NiO_x器件放置时间对NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第56-58页 |
| 5.5 基于Al_2O_3绝缘层NiO_x/Al_2O_3TFT器件的影响及机理分析 | 第58-61页 |
| 5.5.1 溶液法制备Al_2O_3绝缘层 | 第58-59页 |
| 5.5.2 High-kAl_2O_3对NiO_x-TFT器件性能影响的机理分析 | 第59-61页 |
| 5.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第6章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第71页 |
