| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 高介电常数材料研究概况 | 第11-13页 |
| 1.1.1 高介电常数材料的发展 | 第11页 |
| 1.1.2 高介电常数材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.1.3 高介电常数材料在RRAM中的应用 | 第12-13页 |
| 1.2 RRAM研究概况 | 第13-16页 |
| 1.2.1 RRAM的介绍 | 第13-14页 |
| 1.2.2 RRAM性能指标 | 第14-15页 |
| 1.2.3 RRAM的导电机理 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的研究内容和创新点 | 第16-18页 |
| 第2章 不同退火温度下HfTiO薄膜的制备及电学性能研究 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 HfTiO薄膜的制备及不同温度下退火处理 | 第18-19页 |
| 2.3 不同退火温度下HfTiO薄膜的结构和界面 | 第19-22页 |
| 2.3.1 物相分析 | 第19-20页 |
| 2.3.2 光学常数测量 | 第20-21页 |
| 2.3.3 薄膜的界面分析 | 第21-22页 |
| 2.4 不同退火温度HfTiO薄膜电学性能分析 | 第22-26页 |
| 2.4.1 介电常数的计算 | 第22-25页 |
| 2.4.2 漏电流密度的分析 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 ITO/HfTiO/Pt阻变存储器的制备及性能优化 | 第27-36页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 ITO/HfTiO/Pt器件的制备 | 第27-28页 |
| 3.3 不同气氛后退火处理对ITO/HfTiO/Pt性能的影响 | 第28-32页 |
| 3.4 氮气处理优化器件性能的机理探究 | 第32-34页 |
| 3.4.1 光电子能谱(xps)对氧空位的分析 | 第32-33页 |
| 3.4.2 电流传导机制分析 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 低功耗TiN/HfO_2/ITO阻变存储器的制备及阻变性能研究 | 第36-43页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 TiN/HfO_2/ITO器件的制备 | 第36-37页 |
| 4.3 TiN/HfO_2/ITO器件的电学性能研究 | 第37-40页 |
| 4.3.1 电阻转换特性的研究 | 第37-39页 |
| 4.3.2 器件的耐受性及数据保持特性 | 第39-40页 |
| 4.4 ITO电极的作用机理 | 第40-42页 |
| 4.4.1 TiN/HfO_2/ITO阻变存储器的导电机理 | 第40页 |
| 4.4.2 ITO电极在阻变特性中的作用 | 第40-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 总结与展望 | 第43-46页 |
| 5.1 论文总结 | 第43-45页 |
| 5.2 研究展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 附录 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
