| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 单层MoS_2的结构、研究现状及应用 | 第11-13页 |
| 1.2.1 MoS_2的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MoS_2的研究现状及应用 | 第12-13页 |
| 1.3 MoS_2纳米管的结构,研究现状及应用 | 第13-15页 |
| 1.3.1 MoS_2纳米管结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 MoS_2的研究现状及应用 | 第14-15页 |
| 1.4 导电纳米器件的设计及意义 | 第15-17页 |
| 1.4.1 一维(VBz)n@MoS_2NT导电纳米器件的设计及意义 | 第15-16页 |
| 1.4.2 二维(C_(24))_n/MoS_2和(C_(24)V)_n/MoS_2导电纳米器件的设计及意义 | 第16-17页 |
| 1.5 本文的设计研究内容 | 第17页 |
| 1.6 本文的项目来源 | 第17-18页 |
| 第2章 设计模拟方法及技术参数 | 第18-23页 |
| 2.1 第一性原理 | 第18页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第18-20页 |
| 2.2.1 Hoenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham定理 | 第19-20页 |
| 2.3 非平衡格林函数 | 第20-21页 |
| 2.4 ATK软件设计包 | 第21-23页 |
| 第3章 (VBz)n@MoS_2NT的电学性质测试结果 | 第23-36页 |
| 3.1 模型设计思路 | 第23页 |
| 3.2 Bulk体系电性结果讨论 | 第23-30页 |
| 3.2.1 导电纳米器件的几何结构和稳定性 | 第24-25页 |
| 3.2.2 导电纳米器件的能带结构 | 第25-26页 |
| 3.2.3 纳米导电器件的磁特性 | 第26-30页 |
| 3.3 Device体系电性结果讨论 | 第30-34页 |
| 3.3.1 伏安特性测试结果 | 第30-32页 |
| 3.3.2 传输谱测试结果 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 (C_(24))_n/MoS_2和(C_(24)V)_n/MoS_2的电学性质测试结果 | 第36-46页 |
| 4.1 模型设计思路 | 第36-37页 |
| 4.2 (C_(24))_n/MoS_2导电纳米器件测试结果与讨论 | 第37-43页 |
| 4.3 (C_(24)V)_n/MoS_2导电纳米器件测试结果与讨论 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
