| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 量子点的研究进展 | 第8-10页 |
| 1.2 量子点的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 量子点的发展方向 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 实验设备与准备工作 | 第15-27页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第15-17页 |
| 2.2 材料表征技术 | 第17-21页 |
| 2.2.1 扫描隧道显微镜 | 第17-19页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第19-21页 |
| 2.3 实验准备工作 | 第21-26页 |
| 2.3.1 As等效速流压强校准 | 第21-23页 |
| 2.3.2 衬底温度的校准 | 第23-24页 |
| 2.3.3 GaAs缓冲层的生长 | 第24-26页 |
| 2.4 本章总结 | 第26-27页 |
| 第三章 平坦衬底单层有序In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长工艺研究 | 第27-45页 |
| 3.1 量子点生长的基本理论 | 第27-33页 |
| 3.1.1 量子点生长的动力学理论 | 第27-30页 |
| 3.1.2 量子点生长的热力学理论 | 第30-31页 |
| 3.1.3 S-K模式的生长机理 | 第31-33页 |
| 3.2 平坦衬底单层In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长实验过程 | 第33-34页 |
| 3.3 平坦衬底表面单层In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长条件的研究 | 第34-43页 |
| 3.3.1 退火时间对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸分布的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 生长速率对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸分布的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.3 生长温度对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸分布的影响 | 第39-43页 |
| 3.4 本章总结 | 第43-45页 |
| 第四章 非平坦衬底In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点生长工艺研究 | 第45-58页 |
| 4.1 非平坦衬底单层In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长实验过程 | 第45-46页 |
| 4.2 Ga液滴模板衬底对单层In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长的影响 | 第46-52页 |
| 4.2.1 Ga液滴模板衬底的制备 | 第46-47页 |
| 4.2.2 Ga液滴模板衬底表面In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长温度的确定 | 第47-49页 |
| 4.2.3 Ga液滴模板衬底表面In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点沉积量的选取 | 第49-52页 |
| 4.3 GaAs衬底表面形貌对单层In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长的影响 | 第52-56页 |
| 4.3.1 GaAs缓冲层表面形貌的制备 | 第53-54页 |
| 4.3.2 不同GaAs表面In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的生长 | 第54-56页 |
| 4.4 本章总结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 研究总结 | 第58-59页 |
| 5.2 工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士期间参加发表的论文和参加科研情况 | 第65-66页 |
