| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 太阳能电池的研究现状与发展前景 | 第10-16页 |
| 1.1.1 能源危机及未来能源发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.1.2 太阳能利用形式 | 第11页 |
| 1.1.3 太阳能电池技术的的发展历史与现状 | 第11-16页 |
| 1.2 硅衬底锗薄膜多结太阳能电池 | 第16-18页 |
| 1.2.1 多结太阳能电池介绍 | 第16-17页 |
| 1.2.2 发展锗薄膜三结太阳能电池的优势与意义 | 第17页 |
| 1.2.3 硅衬底锗薄膜多结太阳能电池制备的关键问题 | 第17-18页 |
| 1.3 硅衬底锗薄膜的制备技术 | 第18-20页 |
| 1.3.1 缓冲层法 | 第18页 |
| 1.3.2 选区外延法 | 第18-19页 |
| 1.3.4 偏角衬底法 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文主要内容和结构安排 | 第20-22页 |
| 第2章 锗薄膜的制备系统与表征技术 | 第22-30页 |
| 2.1 制备系统 | 第22-26页 |
| 2.1.1 磁控溅射系统 | 第22-24页 |
| 2.1.2 快速光热退火系统 | 第24-26页 |
| 2.1.3 滑轨式管式退火炉 | 第26页 |
| 2.2 表征技术 | 第26-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第26-27页 |
| 2.2.2 拉曼光谱 | 第27-28页 |
| 2.2.3 台阶仪 | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 快速光热退火机理研究 | 第30-38页 |
| 3.1 硅衬底锗薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 3.1.1 单晶硅衬底的选择与处理 | 第30页 |
| 3.1.2 石墨缓冲层的加入 | 第30-31页 |
| 3.1.3 锗薄膜的制备及退火处理 | 第31页 |
| 3.2 衬底温度对锗薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 快速光热退火对锗薄膜结晶的影响 | 第33-37页 |
| 3.4 快速光热退火薄膜晶化机理分析 | 第37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 偏角衬底法制备硅衬底锗薄膜 | 第38-42页 |
| 4.1 偏角硅衬底锗薄膜的制备 | 第38页 |
| 4.1.1 偏角硅衬底的制备 | 第38页 |
| 4.1.2 锗薄膜的制备及退火处理 | 第38页 |
| 4.2 快速光热退火条件优化 | 第38-40页 |
| 4.2.1 快速光热退火温度的选择 | 第38-39页 |
| 4.2.2 快速光热退火时间的选择 | 第39-40页 |
| 4.3 不同偏角衬底对锗薄膜的影响 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 常规热退火制备硅衬底锗薄膜 | 第42-46页 |
| 5.1 硅衬底锗薄膜的制备 | 第42页 |
| 5.1.1 单晶硅衬底的选择和处理 | 第42页 |
| 5.1.2 石墨缓冲层与锗薄膜的制备 | 第42页 |
| 5.2 常规热退火对锗薄膜的影响 | 第42-44页 |
| 5.2.1 退火温度对锗薄膜结构的影响 | 第42-43页 |
| 5.2.2 退火时间对锗薄膜结构的影响 | 第43-44页 |
| 5.3 常规热退火薄膜晶化机理分析 | 第44-45页 |
| 5.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第6章 结论与展望 | 第46-48页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第46页 |
| 6.2 展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |