摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-24页 |
·前言 | 第11-12页 |
·碳化硅的晶体结构、性能 | 第12-14页 |
·碳化硅抗氧化性的研究现状 | 第14-17页 |
·碳化硅抗热震性 | 第17-20页 |
·陶瓷材料热震理论 | 第17-18页 |
·陶瓷材料热震机理研究 | 第18页 |
·提高陶瓷材料抗热震性能的主要措施 | 第18-20页 |
·碳化硅陶瓷抗热震性的研究现状 | 第20页 |
·再结晶碳化硅研究现状 | 第20-22页 |
·本文研究目的及内容 | 第22-24页 |
·研究目的 | 第22页 |
·研究内容 | 第22-24页 |
第2章 实验 | 第24-31页 |
·实验用原料 | 第24-27页 |
·碳化硅 | 第24-26页 |
·羧甲基纤维素 | 第26-27页 |
·试样制备 | 第27-28页 |
·试验用设备 | 第28页 |
·性能测试与结构表征 | 第28-31页 |
·密度及显气孔率测试 | 第28页 |
·抗弯强度测试 | 第28-29页 |
·抗热震性能测试 | 第29页 |
·再结晶碳化硅陶瓷抗氧化性能的测试 | 第29页 |
·再结晶碳化硅陶瓷氧化后力学性能的测试 | 第29页 |
·X-射线衍射法(XRD)测组成分析 | 第29页 |
·显微结构分析(SEM) | 第29-30页 |
·热膨胀系数测试 | 第30页 |
·粒度测试 | 第30-31页 |
第3章 再结晶碳化硅制备工艺对其显微结构影响研究 | 第31-40页 |
·颗粒级配对再结晶碳化硅密度影响 | 第31页 |
·成型水分对再结晶碳化硅密度影响 | 第31-32页 |
·成型压力对再结晶碳化硅密度影响 | 第32-33页 |
·烧成温度对再结晶碳化硅显微结构影响 | 第33-35页 |
·烧成温度对再结晶碳化硅气孔率及抗弯强度影响 | 第35-36页 |
·CMC含量对再结晶碳化硅性能及显微结构影响 | 第36-38页 |
·CMC含量对再结晶碳化硅体积密度及抗弯强度影响 | 第36-38页 |
·CMC含量对再结晶碳化硅显微结构影响 | 第38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
第4章 再结晶碳化硅抗氧化性研究 | 第40-51页 |
·起始粉末粒径对再结晶碳化硅抗氧化性能影响 | 第40-47页 |
·60#SiC加入对再结晶碳化硅密度及气孔率的影响 | 第40-41页 |
·60#SiC加入对再结晶碳化硅氧化行为的影响 | 第41-47页 |
·高温氧化对再结晶碳化硅断裂强度影响 | 第47-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
第5章 再结晶碳化硅抗热震性研究 | 第51-60页 |
·陶瓷材料抗热震性理论 | 第51-54页 |
·抗热震断裂理论 | 第51页 |
·抗热震损伤理论 | 第51-53页 |
·陶瓷抗热震性的影响因素 | 第53-54页 |
·起始粉末粒径对再结晶碳化硅抗热震性能影响 | 第54-58页 |
·试样尺寸对再结晶碳化硅抗热震性能影响 | 第58页 |
·循环次数对再结晶碳化硅抗热震性能影响 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
结论 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
附录A (攻读硕士学位期间发表的论文) | 第67页 |