摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 热电现象的基本效应 | 第11-14页 |
1.2.1 塞贝克效应 | 第11-12页 |
1.2.2 珀尔帖效应 | 第12-13页 |
1.2.3 汤姆逊效应 | 第13-14页 |
1.3 热电现象的基本原理 | 第14-17页 |
1.3.1 热电优值 | 第14页 |
1.3.2 热电材料的基本参数 | 第14-17页 |
1.4 热电材料的研究进展 | 第17-19页 |
1.4.1 Zintl相化合物 | 第17-18页 |
1.4.2 氧化物 | 第18-19页 |
1.4.3 硫族化合物SnSe | 第19页 |
1.5 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
参考文献 | 第21-23页 |
第2章 计算方法 | 第23-29页 |
2.1 密度泛函理论(DensityFunctionalTheory,DFT) | 第23-25页 |
2.1.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第24页 |
2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
2.2 交换关联泛函(correlationexchangefunctional) | 第25页 |
2.2.1 局域密度近似泛函(LocalDensityApproximation,LDA) | 第25页 |
2.2.2 广义梯度近似泛函(GeneralizedGradientApproximation,GGA) | 第25页 |
2.3 本文采用的计算软件 | 第25-27页 |
2.3.1 VASP | 第26页 |
2.3.2 WIEN2k | 第26页 |
2.3.3 BoltzTraP | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-29页 |
第3章 Ca_2YZ(Y=Au,Hg;Z=As,Sb,Bi,Sn,Pb)的电子结构和热电性质的第一性原理研究 | 第29-45页 |
3.1 研究背景 | 第29-30页 |
3.2 计算方法 | 第30-31页 |
3.3 结果与讨论 | 第31-41页 |
3.3.1 晶体结构 | 第31-32页 |
3.3.2 电子结构 | 第32-38页 |
3.3.3 电子输运性质 | 第38-40页 |
3.3.4 热导率 | 第40页 |
3.3.5 优化ZT值 | 第40-41页 |
3.4 小结 | 第41-42页 |
参考文献 | 第42-45页 |
第4章 Sn掺杂对In_2O_3电子结构和热电性能的影响 | 第45-55页 |
4.1 研究背景 | 第45-46页 |
4.2 计算方法 | 第46页 |
4.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
4.3.1 电子结构 | 第46-48页 |
4.3.2 输运性质 | 第48-50页 |
4.3.3 结论 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-55页 |
第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
5.1 结论 | 第55-56页 |
5.1.1 全哈斯勒化合物Ca_2YZ(Y=Au,Hg;Z=As,Sb,Bi,Sn,Pb)的热电特性 | 第55页 |
5.1.2 Sn掺杂和刚性带模拟掺杂In_2O_3的热电性质 | 第55-56页 |
5.2 展望 | 第56-57页 |
致谢 | 第57-59页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第59-60页 |