| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 Ⅲ-Ⅴ族材料的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 AlN系材料的基本性质 | 第12-16页 |
| 1.2.1 基本结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 AlN和InN材料的基本性质 | 第14-15页 |
| 1.2.3 ln_xAl_(1-x)N材料的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3 In_xAl_(1-x)N合金的研究现状及应用 | 第16-18页 |
| 1.3.1 理论计算方面研究 | 第16-17页 |
| 1.3.2 实验制备方面研究 | 第17页 |
| 1.3.3 In_xAl_(1-x)N合金的实际应用 | 第17-18页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 第一性原理方法 | 第19-27页 |
| 2.1 第一性原理 | 第19-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第24-25页 |
| 2.3 软件介绍 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 掺杂对In_xAl_(1-x)N材料的理论研究 | 第27-55页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 本征In_xAl_(1-x)N理论研究 | 第27-35页 |
| 3.2.1 模型的建立 | 第27-28页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第28-30页 |
| 3.2.3 结果分析 | 第30-35页 |
| 3.3 Mg掺杂In_xAl_(1-x)N理论研究 | 第35-42页 |
| 3.3.1 计算方法 | 第36页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第36-42页 |
| 3.4 Si掺杂In_xAl_(1-x)N理论研究 | 第42-46页 |
| 3.4.1 计算方法 | 第42页 |
| 3.4.2 结果分析 | 第42-46页 |
| 3.5 O掺杂In_xAl_(1-x)N理论研究 | 第46-52页 |
| 3.5.1 计算方法 | 第47页 |
| 3.5.2 结果分析 | 第47-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 O_2与H_2吸附In_xAl_(1-x)N的理论研究 | 第55-69页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 物理模型与计算方法 | 第56-57页 |
| 4.2.1 物理模型 | 第56页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第56-57页 |
| 4.3 O_2吸附In_(0.5)Al_(0.5)N表面理论研究 | 第57-63页 |
| 4.3.1 理想表面的结构优化 | 第57-58页 |
| 4.3.2 几何结构及吸附能的影响 | 第58-61页 |
| 4.3.3 原子电荷转移的影响 | 第61页 |
| 4.3.4 态密度分析 | 第61-63页 |
| 4.4 H_2吸附In_(0.5)Al_(0.5)N表面理论研究 | 第63-66页 |
| 4.4.1 几何结构及吸附能的影响 | 第63-65页 |
| 4.4.2 原子电荷转移的影响 | 第65页 |
| 4.4.3 态密度分析 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-69页 |
| 第五章 Mg掺杂In_xAl_(1-x)N吸附O_2的理论研究 | 第69-75页 |
| 5.1 物理模型与计算方法 | 第69-70页 |
| 5.1.1 物理模型 | 第69-70页 |
| 5.1.2 计算方法 | 第70页 |
| 5.2 结果分析 | 第70-74页 |
| 5.2.1 几何结构及吸附能的影响 | 第70-72页 |
| 5.2.2 原子电荷转移的影响 | 第72-73页 |
| 5.2.3 态密度分析 | 第73-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-79页 |
| 6.1 工作总结 | 第75-76页 |
| 6.2 工作展望 | 第76-79页 |
| 参考文献 | 第79-89页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
