石墨烯上氮化物半导体的生长及缓冲层研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物的简介 | 第9-10页 |
| 1.2 氮化镓氮化铝的结构和性质及制备方法 | 第10-15页 |
| 1.2.1 GaN、AlN的结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 GaN、AlN的性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 GaN、AlN的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.3 石墨烯的结构性质及制备方法 | 第15-20页 |
| 1.3.1 石墨烯的结构 | 第15-16页 |
| 1.3.2 石墨烯的性质 | 第16-18页 |
| 1.3.3 石墨烯的制备方法 | 第18-20页 |
| 1.4 范德华外延简介 | 第20-22页 |
| 1.5 选题背景与研究内容 | 第22-26页 |
| 第二章 表征方法的原理及应用 | 第26-35页 |
| 2.1 电子显微镜 | 第26-29页 |
| 2.1.1 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.1.2 透射电子显微镜 | 第27-29页 |
| 2.2 原子力显微镜 | 第29页 |
| 2.3 光致发光及阴极射线致发光光谱 | 第29-30页 |
| 2.4 拉曼光谱 | 第30-32页 |
| 2.5 X射线衍射 | 第32-33页 |
| 2.6 能量色散X射线光谱 | 第33-35页 |
| 第三章 石墨烯上氮化镓的生长及缓冲层研究 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 SiC外延石墨烯上GaN缓冲层研究 | 第35-42页 |
| 3.2.1 GaN缓冲层的制备 | 第36页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第36-42页 |
| 3.3 PECVD石墨烯上氮化镓的生长研究 | 第42-48页 |
| 3.3.1 PECVD法生长石墨烯 | 第43-45页 |
| 3.3.2 PECVD石墨烯上生长GaN | 第45页 |
| 3.3.3 结果与讨论 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 石墨烯上氮化铝生长研究 | 第49-54页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 SiC外延石墨烯上AlN生长研究 | 第49-53页 |
| 4.2.1 AlN的制备 | 第50页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 石墨烯上氮化镓基LED结构分析 | 第54-65页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 SiC外延石墨烯上GaN基LED制备研究 | 第54-64页 |
| 5.2.1 实验内容 | 第55页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第55-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结和展望 | 第65-68页 |
| 6.1 本论文工作总结 | 第65-66页 |
| 6.2 对未来工作的展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
