| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO-TFT的结构和工作原理 | 第13-15页 |
| 1.2.1 ZnO-TFT的结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 ZnO-TFT的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3 ZnO-TFT存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 改善ZnO-TFT性能的方法 | 第17-26页 |
| 2.1 有源层的改善 | 第17-20页 |
| 2.1.1 有源层的掺杂 | 第17-19页 |
| 2.1.2 双层有源层 | 第19-20页 |
| 2.1.3 有源层的特殊工艺 | 第20页 |
| 2.1.4 有源层的其它改善方法 | 第20页 |
| 2.2 栅介质的改善 | 第20-23页 |
| 2.3 栅极和源漏电极的改善 | 第23-24页 |
| 2.4 钝化层 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 ZnO-TFT的制备流程和主要性能表征 | 第26-33页 |
| 3.1 ZnO-TFT的制备流程与测试 | 第26-30页 |
| 3.1.1 硅片的切割和清洗 | 第26页 |
| 3.1.2 栅介质的制备 | 第26-27页 |
| 3.1.3 有源层的制备 | 第27-28页 |
| 3.1.4 源漏电极的制备 | 第28-29页 |
| 3.1.5 ZnO-TFT的测试 | 第29-30页 |
| 3.2 ZnO-TFT的主要性能参数 | 第30-32页 |
| 3.2.1 载流子迁移率 | 第30页 |
| 3.2.2 阈值电压 | 第30-31页 |
| 3.2.3 开关电流比 | 第31页 |
| 3.2.4 关态电流 | 第31页 |
| 3.2.5 亚阈值摆幅 | 第31-32页 |
| 3.2.6 透光性 | 第32页 |
| 3.2.7 稳定性 | 第32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 基底温度和硅掺杂浓度对SZO-TFT性能的影响 | 第33-42页 |
| 4.1 基底温度对SZO-TFT性能的影响 | 第33-36页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第33页 |
| 4.1.2 基底温度对SZO-TFT输出特性的影响 | 第33-34页 |
| 4.1.3 基底温度对SZO-TFT转移特性的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.4 基底温度对SZO薄膜透过率的影响 | 第35-36页 |
| 4.2 硅掺杂浓度对SZO-TFT性能的影响 | 第36-41页 |
| 4.2.1 实验条件 | 第36-37页 |
| 4.2.2 硅掺杂浓度对SZO薄膜透过率的影响 | 第37页 |
| 4.2.3 硅掺杂浓度对SZO-TFT输出特性的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.4 硅掺杂浓度对SZO-TFT转移特性的影响 | 第38-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 SZO/ZnO双有源层结构TFT的电特性及稳定性 | 第42-58页 |
| 5.1 实验条件 | 第42页 |
| 5.2 ZnO-TFT, SZO-TFT和SZO/ZnO-TFT电特性的比较 | 第42-45页 |
| 5.2.1 输出特性的比较 | 第42-43页 |
| 5.2.2 转移特性的比较 | 第43-45页 |
| 5.3 ZnO-TFT, SZO-TFT和SZO/ZnO-TFT稳定性的比较 | 第45-54页 |
| 5.3.1 测试方法 | 第46页 |
| 5.3.2 正栅偏压应力对器件性能影响的比较 | 第46-51页 |
| 5.3.3 漏电压应力对器件性能影响的比较 | 第51-54页 |
| 5.4 ZnO-TFT和SZO/ZnO-TFT空气中稳定性的比较 | 第54-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 附件 | 第68页 |
