| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 微机电系统简介 | 第10-11页 |
| 1.2 反铁电材料 | 第11-17页 |
| 1.2.1 反铁电材料的特性 | 第11-13页 |
| 1.2.2 反铁电材料的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 PZT基反铁电材料 | 第14-17页 |
| 1.3 MEMS薄膜驱动器的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4 反铁电式MEMS薄膜驱动器的国内外研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 论文的研究内容和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 反铁电式MEMS薄膜驱动器工作原理及理论分析 | 第20-27页 |
| 2.1 反铁电式MEMS薄膜驱动器结构和工作原理 | 第20-21页 |
| 2.1.1 反铁电式MEMS薄膜驱动器的结构 | 第20页 |
| 2.1.2 反铁电式MEMS薄膜驱动器工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 反铁电材料的电致应变理论分析 | 第21-23页 |
| 2.3 MEMS薄膜驱动器变形理论 | 第23-24页 |
| 2.4 MEMS薄膜驱动器的有限元仿真分析 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 PNZST反铁电薄膜制备、结构表征及性能分析研究 | 第27-41页 |
| 3.1 PNZST反铁电薄膜的制备工艺 | 第27-29页 |
| 3.1.1 PNZST反铁电溶胶的制备 | 第27-29页 |
| 3.1.2 PNZST反铁电薄膜的制备 | 第29页 |
| 3.2 PNZST反铁电薄膜结构表征 | 第29-31页 |
| 3.3 PNZST反铁电薄膜电学性能 | 第31-40页 |
| 3.3.1 PNZST反铁电薄膜的铁电性能 | 第31-33页 |
| 3.3.2 PNZST反铁电薄膜的储能性能 | 第33-35页 |
| 3.3.3 PNZST反铁电薄膜的介电性能 | 第35-36页 |
| 3.3.4 环境温度对PNZST反铁电薄膜铁电、储能和介电性能的影响 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 反铁电式MEMS薄膜驱动器集成制作工艺研究 | 第41-49页 |
| 4.1 反铁电式MEMS薄膜驱动器工艺流程和版图设计 | 第41-43页 |
| 4.1.1 MEMS薄膜驱动器工艺流程设计 | 第41-42页 |
| 4.1.2 MEMS薄膜驱动器光刻版图设计 | 第42-43页 |
| 4.2 MEMS薄膜驱动器的关键制作工艺 | 第43-48页 |
| 4.2.1 光刻工艺 | 第43-45页 |
| 4.2.2 刻蚀工艺 | 第45页 |
| 4.2.3 LNO/Si薄膜的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.4 PNZST反铁电薄膜的制备 | 第46页 |
| 4.2.5 电极剥离加工工艺 | 第46-47页 |
| 4.2.6 深硅刻蚀工艺 | 第47-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 反铁电式MEMS薄膜驱动器的性能测试分析 | 第49-55页 |
| 5.1 反铁电式MEMS薄膜驱动器的测试原理及方法 | 第49-50页 |
| 5.2 反铁电式MEMS薄膜驱动器频率响应特性 | 第50-54页 |
| 5.2.1 圆形平行板电极结构的反铁电式MEMS薄膜驱动器 | 第50-51页 |
| 5.2.2 叉指状电极结构的反铁电式MEMS薄膜驱动器 | 第51-52页 |
| 5.2.3 反铁电式MEMS薄膜驱动器的驱动电压与位移的关系 | 第52-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 主要结论 | 第55-56页 |
| 6.2 研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 在学期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
