| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 综述 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 热电效应的基本原理及其应用 | 第11-15页 |
| 1.2.1 热电效应及基本原理 | 第11-14页 |
| 1.2.2 热电器件的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 热电材料的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4 层状材料SnSe的研究进展 | 第16-25页 |
| 1.4.1 SnSe的基本结构 | 第17-18页 |
| 1.4.2 SnSe的能带结构 | 第18-19页 |
| 1.4.3 SnSe的低热导率研究 | 第19-21页 |
| 1.4.4 SnSe的输运性质研究 | 第21-24页 |
| 1.4.5 目前SnSe存在的问题 | 第24-25页 |
| 1.5 本文的主要内容和研究意义 | 第25-26页 |
| 1.5.1 研究思路和研究意义 | 第25页 |
| 1.5.2 研究内容研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-33页 |
| 第二章 晶体生长及测试方法 | 第33-43页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 晶体生长方法 | 第33-37页 |
| 2.2.1 多晶样品的制备 | 第34页 |
| 2.2.2 气相输运法生长SnSe单晶 | 第34-35页 |
| 2.2.3 坩埚下降法生长单晶 | 第35-37页 |
| 2.2.4 生长中遇到的问题和解决方案 | 第37页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第37-40页 |
| 2.3.1 结构与成分表征 | 第37-38页 |
| 2.3.2 微波阻抗显微镜 | 第38-40页 |
| 2.3.3 DSC热分析法 | 第40页 |
| 2.3.4 时域热反射测量系统(TDTR) | 第40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 SnSe及Pb_xSn_(l-x)Se单晶的结构与物性 | 第43-53页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 SnSe的结构和成分分析 | 第43-45页 |
| 3.2.1 XRD结果分析 | 第43-44页 |
| 3.2.2 EDS分析 | 第44-45页 |
| 3.3 Pb_xSn_(l-x)Se的结构和成分分析 | 第45-47页 |
| 3.3.1 XRD结果分析 | 第45-47页 |
| 3.3.2 EDS结果分析 | 第47页 |
| 3.4 Pb掺杂对相变点的影响 | 第47-49页 |
| 3.5 Pb掺杂对低温热导率的影响 | 第49-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 SnSe及Pb_xSn_(l-x)Se的拉曼光谱研究 | 第53-69页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 SnSe的拉曼研究 | 第53-58页 |
| 4.2.1 SnSe的基本晶格振动模 | 第53-55页 |
| 4.2.2 SnSe的变温拉曼结果与分析 | 第55-58页 |
| 4.3 Pb_xSn_(l-x)Se的拉曼结果与分析 | 第58-63页 |
| 4.3.1 室温下Pb_xSn_(l-x)Se的拉曼结果与分析 | 第59页 |
| 4.3.2 Pb_xSn_(l-x)Se的变温拉曼结果与分析 | 第59-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间学术成果 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
