| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 一维半导体纳米材料概述 | 第10-16页 |
| 1.1.1 一维纳米材料 | 第10-13页 |
| 1.1.2 半导体材料 | 第13-16页 |
| 1.2 InP 纳米材料的主要合成方法 | 第16-23页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法 | 第16页 |
| 1.2.2 溶剂热合成法 | 第16-17页 |
| 1.2.3 金属有机化学气相沉积法 | 第17-21页 |
| 1.2.4 分子束外延法 | 第21-23页 |
| 1.3 InP 纳米材料的研究现状和问题 | 第23-25页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第25-28页 |
| 第2章 实验方法及材料表征 | 第28-36页 |
| 2.1 实验方法 | 第28-34页 |
| 2.1.1 InP 纳米线的 CVD 合成 | 第28-30页 |
| 2.1.2 InP 纳米线的溶剂热合成 | 第30-31页 |
| 2.1.3 InP 一维纳米结构的控制合成 | 第31-33页 |
| 2.1.4 InP 纳米材料光致发光性能研究 | 第33-34页 |
| 2.1.5 InP 纳米材料光催化性能研究 | 第34页 |
| 2.2 材料表征 | 第34-35页 |
| 2.2.1 材料形貌、组成和结构表征 | 第34-35页 |
| 2.2.2 Raman 光谱研究 | 第35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 InP 纳米线的 CVD 合成及表征 | 第36-61页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 InP 电子结构及能带结构第一性原理计算 | 第37-41页 |
| 3.2.1 InP 电子结构的计算 | 第38-39页 |
| 3.2.2 InP 能带结构的计算 | 第39-41页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第41-59页 |
| 3.3.1 单温区加热 CVD 法合成出 InP 纳米线的表征 | 第41-47页 |
| 3.3.2 双温区加热 CVD 法合成出 InP 纳米线的表征 | 第47-55页 |
| 3.3.3 InP 纳米线 CVD 合成机制探讨 | 第55-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第4章 InP 纳米线的溶剂热合成及表征 | 第61-74页 |
| 4.1 引言 | 第61-63页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第63-72页 |
| 4.2.1 未使用 CTAB 时溶剂热法合成出 InP 纳米线的表征 | 第63页 |
| 4.2.2 使用 CTAB 时溶剂热法合成出 InP 纳米线的表征 | 第63-70页 |
| 4.2.3 InP 纳米线溶剂热合成机制探讨 | 第70-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 InP 一维纳米结构的控制合成及表征 | 第74-89页 |
| 5.1 引言 | 第74-75页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第75-87页 |
| 5.2.1 InP 纳米针的形貌、组成和结构表征 | 第75-78页 |
| 5.2.2 InP 纳米管的形貌、组成和结构表征 | 第78-82页 |
| 5.2.3 InP 纳米梳的形貌、组成和结构表征 | 第82-85页 |
| 5.2.4 InP 纳米针、纳米管和纳米梳的合成机制探讨 | 第85-87页 |
| 5.3 本章小结 | 第87-89页 |
| 第6章 InP 一维纳米材料光学性能研究 | 第89-99页 |
| 6.1 引言 | 第89-90页 |
| 6.2 实验结果与讨论 | 第90-98页 |
| 6.2.1 InP 纳米线的光致发光性能研究 | 第90-93页 |
| 6.2.2 InP 纳米线的光催化性能研究 | 第93-95页 |
| 6.2.3 InP 纳米梳的光致发光性能研究 | 第95-98页 |
| 6.3 本章小结 | 第98-99页 |
| 结论 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 作者简介 | 第116页 |
